[发明专利]一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管

说明书

本发明涉及开关管技术领域，且公开了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳，所述封装外壳的内部设置有第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛，所述第一基岛的正面设置有碳化硅芯片，所述第二基岛的正面设置有硅基MOS芯片，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛的侧表面均设置有外接引脚。该芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，通过将碳化硅芯片安装在第一基岛的正面，从而可以将其安装在尺寸较小的DFN5060封装内部，进而实现将产品进行小型化。

技术领域

本发明涉及开关管技术领域，具体为一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管。

背景技术

功率开关管能承受较大电流，漏电流较小，在一定条件下有较好饱和导通及截止特性，可不太考虑其放大性能，其控制极与基极电流大小或方向有关电流经集电极和发射极，方向具体要看是NPN还是PNP管，场效应管一般做电子开关用，控制与极性有关。

因DFN5060封装的尺寸较小，且DFN5060封装的小尺寸符合电源产品小型化的发展趋势，但是现有高压硅MOS(特指600V以上耐压，内阻小于400mohm的MOS)的晶圆面积较大，无法放进该封装内部，因此需要提出一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管来解决上述所出现的问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，具备将碳化硅芯片安装在基岛上，进而可以将其装入尺寸较小的DFN5060封装内部，进而可以符合电源产品小型化的发展趋势等优点，解决了现有高压硅MOS的晶圆面积较大，无法放进该封装内部的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳，所述封装外壳的内部设置有第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛，所述第一基岛的正面设置有碳化硅芯片，所述第二基岛的正面设置有硅基MOS芯片，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛的侧表面均设置有外接引脚。

优选的，所述第一基岛位于封装外壳内部的右侧，所述第二基岛、第三基岛和第四基岛均位于封装外壳内部的左侧，所述第一基岛位于第二基岛的右侧，通过该排列方式，从而便于将其装入封装外壳内部。

优选的，所述第一基岛的右侧设置有四个外接引脚，所述第二基岛的左侧设置有两个外接引脚，所述第三基岛和第四基岛的左侧均设置有一个外接引脚，通过外接引脚可以将基岛与外部的电子元件进行连通。

优选的，所述碳化硅芯片通过连接线与第二基岛和第四基岛连接，所述硅基MOS芯片通过连接线与第三基岛和第四基岛连接，所述连接线材质采用铜线或铝线，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛均采用可导电金属材质，进而通过连接线可以将基岛与碳化硅芯片和硅基MOS芯片连通。

优选的，所述外接引脚的一端位于封装外壳的外部，所述外接引脚与封装外壳的内部固定，进而可以对外接引脚的连接处进行密封。

与现有技术相比，本发明提供了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，具备以下有益效果：

1、该芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，通过将碳化硅芯片安装在第一基岛的正面，从而可以将其安装在尺寸较小的DFN5060封装内部，进而实现将产品进行小型化。

2、该芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，通过第一基岛、第二基岛、第三基岛、第四基岛、碳化硅芯片和硅基MOS芯片之间的相互配合，通过碳化硅芯片使得该装置可以工作在更高的运行频率上，且碳化硅可以承受更高的温度，从而使得该装置在运行时更加稳定。