[发明专利]一种显示面板及其制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，包括基板（100）、TFT阵列层（101）、UV防护层（103）、薄膜封装层（104）、像素定义层（105），其特征在于：所述TFT阵列层（101）上含有设置于基板（100）上的阻挡层（1011）、设置于阻挡层（1011）上的缓冲层（1012）、设置于缓冲层（1012）上的有源层（1014）、设置于缓冲层（1012）上且覆盖有源层（1014）的第一栅极绝缘层（1013）、设置于第一栅极绝缘层（1013）上的栅极金属层（1015）、设置于第一栅极绝缘层（1013）上且覆盖栅极金属层（1015）的第二栅极绝缘层（1017）、设置于第二栅极绝缘层（1017）上的层间绝缘层（1018）、设置于层间绝缘层（1018）上的源漏极金属层（1016）以及覆盖源漏极金属层（1016）上的平坦化层（1019），所述源漏极金属层（1016）通过过孔与下方的有源层（1014）相连；

所述像素定义层（105）设置于平坦化层（1019）上，像素定义层（105）定义出非开口区（1051）和开口区（1052）；所述开口区（1052）内制备有OLED器件层（102），所述OLED器件层（102）包括阳极金属层（1021）、有机发光层（1022）、阴极金属层（1023）；

所述UV防护层（103）设置于像素定义层（105）上，所述UV防护层（103）包括UV吸收层（1031）、UV反射层（1033）及微反射结构（1032）；

所述薄膜封装层（104）设置于UV防护层（103）上，所述薄膜封装层（104）包括第一无机层（1041）、有机层（1042）、第二无机层（1043）。

2.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述基板（100）为硬屏封装的玻璃基板或者柔性封装的柔性衬底，所述柔性衬底材料为聚酰亚胺，所述基板（100）的厚度为0.3-0.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述阻挡层（1011）的厚度为0.15-0.25um，其材质为氮化硅或者氧化硅的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述缓冲层（1012）的厚度为0.2-0.25um，其材质为氮化硅或者氧化硅的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述第一栅极绝缘层（1013）、第二栅极绝缘层（1017）、层间绝缘层（1018）、平坦化层（1019）的材质均为氮化硅或者氧化硅的至少一种，厚度分别为0.1-0.2um、0.1-0.12um、0.1-0.2um、1-2.5um。

6.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述有源层（1014）的材质为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物或铟镓锌锡氧化物中的任意一种，其厚度为0.04-0.08um。

7.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述栅极金属层（1015）、源漏极金属层（1016）的材质为Mo、Ti、Cu、Al以及Ni中的一种或多种，厚度为0.25-0.3um。

8.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于：所述像素定义层（105）的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化物中的至少一种，其厚度为2.0-2.5um。

9.一种权利要求1-8任意一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、在柔性衬底或者玻璃基板上制备TFT阵列层（101）；

S2、在所述TFT阵列层（101）上制备像素定义层（105），像素定义层（105）定义出非开口区（1051）和开口区（1052）；

S3、在像素定义层（105）上的开口区（1052）内制备阳极金属层（1021）、有机发光层（1022）、阴极金属层（1023）；

S4、在像素定义层（105）上制备UV吸收层（1031）、UV反射层（1033），其中UV反射层（1033）中有阵列分布的微反射结构（1032），UV吸收层（1031）、UV反射层（1033）均采用CVD方式制备，微反射结构（1032）采用PVD结合曝光显影蚀刻方式制备；

S5、在UV反射层（1033）上制备由第一无机层（1041）、有机层（1042）、第二无机层（1043）组合而成的薄膜封装层（104）。