[发明专利]一种显示面板及其制备方法

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制备方法，包括基板、TFT阵列层、UV防护层、薄膜封装层、像素定义层，TFT阵列层上含有设置于基板上的阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极金属层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层、平坦化层，源漏极金属层通过过孔与下方的有源层相连；像素定义层定义出非开口区和开口区；OLED器件层包括阳极金属层、有机发光层、阴极金属层；UV防护层包括UV吸收层、UV反射层及微反射结构；薄膜封装层包括第一无机层、有机层、第二无机层。本发明通过在像素定义层上设计UV防护层的方式，优化IGZO‑TFT结构，有效解决IGZO有源层以OLED器件易受外部强辐射高能量UV光照射造成的器件不稳定或发光效率过低问题。

技术领域

本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)因其具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一，正在逐步替代TFT-LCD，有望成为继LCD之后的下一代主流显示技术。

常见的TFT驱动主要有a-Si TFT（非晶硅）、LTPS TFT（低温多晶硅）、IGZO TFT（非晶硅）等，IGZO由于其能耗低、响应时间快、可低温制造、良好的弯曲性能、可实现高分辨率等优异性能，成为AMOLED显示屏的优选技术。

由于IGZO是一种铟镓锌氧化物，此类氧化物受到较强的辐射会被激发出电子空穴或者氧空穴，而过量的电子空穴或者氧空穴会造成IGZO有源层内部缺陷增多，会降低TFT器件的控制稳定性，为此，我们提出一种显示面板及其制备方法，以解决上述背景技术中提到的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制备方法，优化IGZO基板结构，解决因强辐射高能量的UV光照射导致器件效率低寿命短的问题，提高基板和器件的稳定性。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种显示面板，包括基板、TFT阵列层、UV防护层、薄膜封装层、像素定义层，所述TFT阵列层上含有设置于基板上的阻挡层、设置于阻挡层上的缓冲层、设置于缓冲层上的有源层、设置于缓冲层上且覆盖有源层的第一栅极绝缘层、设置于第一栅极绝缘层上的栅极金属层、设置于第一栅极绝缘层上且覆盖栅极金属层的第二栅极绝缘层、设置于第二栅极绝缘层上的层间绝缘层、设置于层间绝缘层上的源漏极金属层以及覆盖源漏极金属层上的平坦化层，所述源漏极金属层通过过孔与下方的有源层相连；

所述像素定义层设置于平坦化层上，像素定义层定义出非开口区和开口区；所述开口区内制备有OLED器件层，所述OLED器件层包括阳极金属层、有机发光层、阴极金属层；

所述UV防护层设置于像素定义层上，所述UV防护层包括UV吸收层、UV反射层及微反射结构；

所述薄膜封装层设置于UV防护层上，所述薄膜封装层包括第一无机层、有机层、第二无机层。

所述基板为硬屏封装的玻璃基板或者柔性封装的柔性衬底，所述柔性衬底材料为聚酰亚胺，所述基板100的厚度为0.3-0.5mm。

所述阻挡层的厚度为0.15-0.25um，其材质为氮化硅或者氧化硅的至少一种。

所述缓冲层的厚度为0.2-0.25um，其材质为氮化硅或者氧化硅的至少一种。

所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间绝缘层、平坦化层的材质均为氮化硅或者氧化硅的至少一种，厚度分别为0.1-0.2um、0.1-0.12um、0.1-0.2um、1-2.5um。

所述有源层的材质为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物或铟镓锌锡氧化物中的任意一种，其厚度为0.04-0.08um。

所述栅极金属层、源漏极金属层的材质为Mo、Ti、Cu、Al以及Ni中的一种或多种，厚度为0.25-0.3um。