[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

负载锁定室，所述负载锁定室的内部空间的压力在第一压力和低于所述第一压力的第二压力之间变化；

转位室，所述转位室与所述负载锁定室连接；和

测量单元，所述测量单元被配置为测量所述内部空间中的颗粒水平，

其中，所述测量单元位于所述负载锁定室的外部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述测量单元包括：

测量通道，所述测量通道设置在所述负载锁定室与所述转位室之间；和

测量传感器，所述测量传感器安装在所述测量通道上，并且被配置为测量所述内部空间中的所述颗粒水平。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述测量单元还包括：

测量容器，所述测量容器安装在所述测量通道上，并具有感测空间，并且

其中，所述测量传感器测量所述感测空间中的所述颗粒水平。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中被配置为将气体供应至所述内部空间中的气体供应管线和被配置为降低所述内部空间的压力的减压管线连接至所述负载锁定室。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，还包括：

控制器，

其中当要测量所述内部空间的所述颗粒水平时，所述控制器控制所述气体供应管线和所述测量单元以通过由所述气体供应管线将所述气体供应至所述内部空间中来增加所述内部空间的压力。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中包括在所述测量单元中并被配置为测量所述颗粒水平的测量传感器设置在所述减压管线上。

7.一种基板处理装置，包括：

负载锁定室，所述负载锁定室具有第一内部空间，所述第一内部空间的压力在第一压力和低于所述第一压力的第二压力之间变化；

第二腔室，所述第二腔室与所述第一腔室连接并具有第二内部空间，所述第二内部空间的压力保持在第三压力；和

测量单元，所述测量单元被配置为测量所述第一内部空间中的颗粒水平，

其中，所述测量单元还包括：

测量通道，所述测量通道设置在所述第一腔室和所述第二腔室之间；和

测量传感器，所述测量传感器被配置为测量在所述内部空间中流动的流体的颗粒水平。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述测量单元还包括：

测量容器，所述测量容器安装在所述测量通道上，并具有感测空间，并且

其中所述测量传感器测量所述感测空间中的所述颗粒水平。

9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中被配置为将惰性气体供应至所述第一内部空间中的气体供应管线和被配置为降低所述第一内部空间的压力的减压管线连接至所述第一腔室。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，还包括：

控制器，

其中当要测量所述第一内部空间的所述颗粒水平时，所述控制器控制所述气体供应管线和所述测量单元以通过由所述气体供应管线将所述惰性气体供应至所述第一内部空间中来增加所述第一内部空间的压力。

11.根据权利要求9所述的基板处理装置，还包括：

控制器，

其中当要测量所述第一内部空间中的所述颗粒水平时，所述控制器控制所述气体供应管线、所述减压管线和所述测量单元中的任一个，使得所述第一内部空间中的气流通过所述第一内部空间和所述第二内部空间之间的压差在所述测量通道中流动。

12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中所述测量单元还包括：

阀，所述阀安装在所述测量通道中，并且

其中所述基板处理装置还包括：

控制器，所述控制器用于控制所述测量单元。