[发明专利]基板处理装置

说明书

公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：负载锁定室，其内部空间的压力在第一压力和低于第一压力的第二压力之间变化；转位室，其与负载锁定室连接；和测量单元，其测量内部空间中的颗粒水平，并且测量单元位于负载锁定室的外部。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

等离子体是指包括离子、自由基和电子的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体中包含的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时，执行蚀刻工艺。

通常，用于通过使用等离子体处理诸如晶片的基板的装置包括通过使用等离子体处理基板的处理室和将基板传送至处理室中的传送室。此外，为了通过使用等离子体来提高基板处理效率，处理室基本上保持在真空压力气氛中，因此转移室保持在真空压力气氛中。为了将基板运送到保持在真空压力气氛中的传送室，一般的基板处理装置包括负载锁定室，通过该负载锁定室，对提供在传送室前端的内部气氛进行在真空压力气氛和大气压力气氛之间的切换。将基板运送入切换为大气压气氛的负载锁定室，之后将负载锁定室内的气氛切换为真空压力气氛，然后将基板运送出负载锁定室并运送到传送室中。运送到传送室中的基板被递送到处理室。处理过的基板的撤回以相反的顺序进行。

处理过的基板以及未处理的基板被重复地运送到锁定室中。在处理基板的过程中可能产生的杂质，例如烟气，可能会附着在处理过的基板上，因此，很可能在负载锁定室中产生烟气污染。因此，有必要周期性地监测驻留在负载锁定室中的引起烟雾等的颗粒的水平。为了实现这一点，可以考虑在负载锁定室的内部空间中安装测量颗粒水平的传感器的措施。然而，根据该措施，根据传感器的尺寸，传感器有可能占据负载锁定室的内部空间的较大部分，并且根据传感器的安装位置，也有可能导致测量颗粒水平的误差。此外，由于传感器的安装，在负载锁定室的内部空间中可能形成非常窄的孔口，因此存在诸如颗粒的杂质驻留于相应的孔口中的可能性。

发明内容

本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其可以测量腔室中的颗粒水平，该腔室的内部空间的压力改变。

本发明构思的实施方式还提供一种基板处理装置，其可以周期性地测量负载锁定室中的颗粒水平。

本发明构思的实施方式还提供一种基板处理装置，其可以进一步提高驻留在腔室中的颗粒水平的测量精度。

本发明构思的方面不限于此，本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解本发明的其他未提及的方面。

本发明构思提供一种基板处理装置。基板处理装置包括负载锁定室，所述负载锁定室的内部空间的压力在第一压力和低于第一压力的第二压力之间变化；转位室，所述转位室与所述负载锁定室连接；和测量单元，所述测量单元测量所述内部空间中的颗粒水平，并且所述测量单元位于所述负载锁定室的外部。

根据实施方式，所述测量单元可以包括测量通道，所述测量通道设置在所述负载锁定室与所述转位室之间；和测量传感器，所述测量传感器安装在所述测量通道上，并测量所述内部空间中的所述颗粒水平。

根据实施方式，所述测量单元还可以包括测量容器，所述测量容器安装在所述测量通道上，并具有感测空间，并且所述测量传感器可以测量所述感测空间中的所述颗粒水平。

根据实施方式，将气体供应至所述内部空间中的气体供应管线和降低所述内部空间的压力的减压管线可以连接至所述负载锁定室。

根据实施方式，基板处理装置还可以包括控制器，当要测量所述内部空间的所述颗粒水平时，所述控制器可以控制所述气体供应管线和所述测量单元以通过由所述气体供应管线将气体供应至所述内部空间中来增加所述内部空间的压力。

根据实施方式，包括在所述测量单元中并测量所述颗粒水平的测量传感器可以设置在所述减压管线上。