[发明专利]利用了表面保护物质的薄膜形成方法在审
申请号: | 202111172039.8 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN114293175A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;金河俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社EGTM |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/52;H01L21/02 |
代理公司: | 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 | 代理人: | 许玉顺 |
地址: | 韩国京畿道水原市灵通区新院路3*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 表面 保护 物质 薄膜 形成 方法 | ||
1.一种利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
包括:
掺杂用前驱体供应步骤,向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体;
净化步骤,对上述腔体内部进行净化;
掺杂用薄膜形成步骤,向上述腔体内部供应第一反应物质,与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜;
介电膜用前驱体供应步骤,向上述腔体内部供应介电膜用前驱体;
净化步骤,对上述腔体内部进行净化;以及
介电膜形成步骤,向上述腔体内部供应第二反应物质,与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜,
上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括:
表面保护物质供应步骤,向上述腔体内部供应上述表面保护物质;以及
净化步骤,对上述腔体内部进行净化。
2.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式1表示:
化学式1
在上述化学式1中,n为1、2,
R从氢原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
3.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式2表示:
化学式2
在上述化学式2中,n分别独立地从1至5的整数中选择。
4.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式3表示:
化学式3
在上述化学式3中,n各自分别为0至8的整数,
R1各自分别从具有1至10个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的碳原子的烷氧基或氢原子中选择,
R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
5.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式4表示:
化学式4
在上述化学式4中,n各自分别为1至8的整数,m各自分别为1至5的整数,
R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
6.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式5表示:
化学式5
在上述化学式5中,n各自分别为1至5的整数,m各自分别为0至8的整数,
R1各自分别为具有1至8个碳原子的烷基或氢原子中选择,
R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
7.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式6表示:
化学式6
在上述化学式6中,n各自分别为1至8的整数,m各自分别为1至6的整数,
R1或R2各自分别从具有1至8个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基、具有6至12个碳原子的芳基中选择。
8.如权利要求1所述的利用了表面保护物质的薄膜形成方法,其特征在于,
上述表面保护物质由下面的化学式7表示:
化学式7
在上述化学式7中,n各自分别为0至5的整数,m各自分别为1至5的整数,
R各自分别从具有1至10个碳原子的烷基、具有3至10个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EGTM,未经株式会社EGTM许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111172039.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置
- 下一篇:存储控制器、存储系统及其操作方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的