[发明专利]利用了表面保护物质的薄膜形成方法

说明书

根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及净化步骤，对上述腔体内部进行净化。

技术领域

本发明涉及薄膜形成方法，更具体来说，涉及如下的薄膜形成方法：通过形成很薄厚度的掺杂用薄膜，容易调节介电膜厚度及介电膜内组分，从而能够实现所需的组分比，由此改善了介电常数。

背景技术

随着DRAM及Flash等内存/非内存半导体器件的高度集成化、低耗电等变化，对形成优良特性的介电薄膜的需求正逐渐加深。

作为一例,氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)被应用作电容(Capacitor)介电膜，氧化锆和氧化铪即使有很薄厚度也具有大介电常数值。氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)根据温度及压力以多样的结晶结构存在，且根据其结构，其静电容不同。已知与其他结构相比，正方晶(Tetragonal)结构的氧化锆(ZrO2)和立方晶(Cubic)或正方晶(Tetragonal)相的氧化铪(HfO2)具有大约2倍以上的静电容，但是一般来说在常温常压下单斜晶相稳定。

因此，为了通过掺杂稳定化氧化锆及氧化铪的结晶结构来获得高介电常数，进行了许多研究。但是，掺杂会因局部组分的不均匀性导致介电性能劣化及漏电，很难予以应用。所以需要通过提高薄膜内组分均匀度及结晶度来改善静电容，需要开发改善了阶梯覆盖率的薄膜形成方法。

【在先技术文献】

【专利文献】

(专利文献0001)韩国公开专利申请公报2007-0015958号(2007.02.06.)

发明内容

【所要解决的技术课题】

本发明的目的在于，提供一种能够形成很薄厚度的掺杂用薄膜的薄膜形成方法。

本发明的另一目的在于，提供一种如下的薄膜形成方法：该方法容易调节介电膜内组分，因此能够实现所需的组分比，由此改善了介电常数。

本发明的另一目的在于，提供一种如下的薄膜形成方法：该方法提高结晶度，由此形成阶梯覆盖性良好的薄膜，能够提供优秀的半导体器件。

本发明的其他一目的将在后面的详细说明中更加明确。

【课题解决方案】

根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜，上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括：表面保护物质供应步骤，向上述腔体内部供应上述表面保护物质；以及净化步骤，对上述腔体内部进行净化。

上述表面保护物质可由下面的化学式1表示。

化学式1

在上述化学式1中，n为1、2，R从氢原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有3至6个碳原子的环烷基和具有6至12个碳原子的芳基中选择。