[发明专利]一种含硅烷尾气的安全排放装置在审
申请号: | 202111176114.8 | 申请日: | 2021-10-09 |
公开(公告)号: | CN113813748A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | 张俊杰;王乐强 | 申请(专利权)人: | 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 |
主分类号: | B01D53/18 | 分类号: | B01D53/18;B01F7/24;B01D46/00;B01D29/03 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 杨静 |
地址: | 239000 安徽省滁州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅烷 尾气 安全 排放 装置 | ||
本发明提供一种含硅烷尾气的安全排放装置,包括排放主管,排放主管下端连接有排放支管,排放支管下端对应设置有吸收槽,吸收槽内注有吸收液,所述排放支管采用树状结构多级分布设置,排放支管最下端伸入到吸收槽内并置于吸收液液面下侧,排放支管最下端表面设有若干个排放孔。过采用排放支管将尾气分流排放,使尾气分散流动,尾气沿排放支管进入到吸收槽内并与吸收液接触,从而快速反应处理,结构简单,使用便捷。
技术领域
本发明涉及硅烷气体反应设备技术领域,尤其涉及一种含硅烷尾气的安全排放装置。
背景技术
硅烷已成为半导体微电子工艺中使用的最主要的特种气体, 用于各种微电子薄膜制备, 包括单晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金属硅化物等。硅烷的微电子应用还在向纵深发展: 低温外延、选择外延、异质外延。不仅用于硅器件和硅集成电路,也用于化合物半导体器件(砷化镓、碳化硅等)。在超晶格量子阱材料制备中也有应用。可以说现代几乎所有先进的集成电路的生产线都需用到硅烷。硅烷在空气中含量大于0 .1%就会自燃,产生大量烟尘,如直接排放不但会污染环境、而且操作不慎,可能引燃可燃物,造成严重的安全事故。
专利号CN213375925U公开了一种乙硅烷分析后处理装置,通过将尾气通入到尾气处理箱内,尾气处理箱上端设有水喷淋头进行喷淋,尾气处理箱下端通过固废排出管与废液槽连接,尾气在尾气处理箱中通过喷淋进行处理,从而完成尾气的处理,但是该装置都是将尾气集中处理,不能有效的保证尾气中的硅烷与喷淋液充分接触反应完全,处理效率底下,因此解决这个问题就变得很重要了。
发明内容
本发明的目的是提供一种含硅烷尾气的安全排放装置,通过采用排放支管将尾气分流排放,使尾气分散流动,尾气沿排放支管进入到吸收槽内并与吸收液接触,从而快速反应处理,解决了背景技术中尾气集中反应处理效率底下的问题。
本发明提供一种含硅烷尾气的安全排放装置,包括排放主管,排放主管下端连接有排放支管,排放支管下端对应设置有吸收槽,吸收槽内注有吸收液,所述排放支管采用树状结构多级分布设置,排放支管最下端伸入到吸收槽内并置于吸收液液面下侧,排放支管最下端表面设有若干个排放孔。
进一步改进在于:排放主管上设有流量控制球阀,排放支管上设有开关阀。
进一步改进在于:排放主管与排放支管连接处设有过滤器。
进一步改进在于:所述吸收液采用氨水吸收液或稀硝酸吸收液。
进一步改进在于:吸收槽内中间设有搅拌杆,搅拌杆上端插入到排放支管内。
进一步改进在于:吸收槽内底部设有滤网,吸收槽侧边连接有排液管。
本发明的有益效果:通过设置排放主管和排放分管,排放分管多级设置,尾气通过排风分管进行多级分流排放,使每级的尾气排放量降低到比较小的流量,较小量的尾气通过排放分管通入到吸收槽内,可以快速与吸收液快速充分接触,从而提高对尾气的吸收处理,提高尾气处理效率。
排放支管下端表面排放孔,通过排放孔增加尾气的排出面积,增大尾气与吸收液的接触面积,从而使尾气和吸收液快速接触,从而提高吸收液额吸收效率。
通过设置搅拌杆,搅拌杆伸入排液支管内,对排液支管内的吸收液进行搅动,提高吸收液与尾气的接触吸收效率。
通过设置流量控制球阀控制排气主管内的总排气量,使排气速率保持稳定;通过开关阀对排气支管进行关闭和打开,从而控制尾气排出的流量,便于控制对尾气的吸收处理效果和处理速率。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是吸收槽结构示意图。
图3是排放支管端部示意图。
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