[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上沉积第一金属层，并将所述第一金属层形成栅极；

在所述基板及栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及第二金属层；

将所述第二金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及

对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔绝层是利用干蚀刻的方式形成，干蚀刻所采用的反应气体是O₂、O₃、N₂O中的一种或者两种及以上的组合。

3.根据权利要求2所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，干蚀刻还包括向反应腔体中引入辅助性气体，所述辅助性气体是SF₆、NF₃、CF₄、CHF₃、CH₂F₂中的一种或者两种及以上的组合。

4.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述辅助性气体占整个反应腔体内气体的比例1％-20％。

5.根据权利要求3所述的一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在干蚀刻形成所述隔绝层之前还包括分别在所述源极及漏极远离所述有源层的端部形成光阻层，所述光阻层的尺寸大于所述源极的端部的尺寸，所述光阻层的尺寸大于所述漏极的端部的尺寸。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

栅极，位于基板上的；

栅极绝缘层，位于所述基板及栅极上；

有源层，位于所述栅极绝缘层上；

源极及漏极，位于所述有源层表面、所述栅极上方，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及

隔绝层，位于所述源漏极接触区之间、且与所述背沟道对应。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括设置在栅极绝缘层上的非晶硅层和设置在非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层，所述隔绝层的厚度不小于所述N型掺杂非晶硅层的厚度。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述隔绝层的尺寸小于背沟道开口的尺寸。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述隔绝层的材质为一氧化硅、二氧化硅、氮氧化硅中的任意一种或者是由一氧化硅、二氧化硅和氮氧化硅所组成的群组。

10.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与漏极为柱状或者圆台状结构。