[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管

说明书

本申请提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，包括：提供基板，在所述基板上形成栅极，在所述基板及栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及金属层；将所述金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管制作方法及其结构。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay)中，薄膜晶体管TFT的功能相当于一个开关管。常用的TFT是三端器件，一般在玻璃基板上制备半导体层，在其两端设置与之相连的源极和漏极，利用施加在栅极上的电压来控制源、漏电极间的电流。

现有技术制备薄膜晶体管TFT中，在蚀刻完形成源漏极后，还需要对半导体层蚀刻形成背沟道，但是一般的背沟道蚀刻方式会造成背沟道缺陷增加，引起漏电流的增加。

发明内容

本申请提供一种薄膜晶体管，能够解决流平物质进入光刻胶形成的凹槽难度高、平坦层过厚的问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供基板，在所述基板上沉积第一金属层，并将第一金属层形成栅极；

在所述栅极绝缘层上依次形成有源层及金属层；

将所述金属层形成为源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及

对位于所述源漏极接触区之间的所述有源层进行氧化形成隔绝层。

在其中一些实施例中，所述隔绝层是利用干蚀刻的方式形成，干蚀刻所采用的反应气体是O₂、O₃、N₂O中的一种或者两种及以上的组合。

在其中一些实施例中，干蚀刻还包括向反应腔体中引入辅助性气体，所述辅助性气体是SF₆、NF₃、CF₄、CHF₃、CH₂F₂中的一种或者两种及以上的组合。

在其中一些实施例中，所述辅助性气体占整个反应腔体内气体的比例1％-20％。

在其中一些实施例中，在干蚀刻形成所述隔绝层之前还包括分别在所述源极及漏极远离所述有源层的端部形成光阻层，所述光阻层的尺寸大于所述源极的端部的尺寸，所述光阻层的尺寸所述漏极的端部的尺寸。

本发明还涉及一种薄膜晶体管。

一种薄膜晶体管，包括：

基板；

栅极，位于基板上的；

栅极绝缘层，位于所述基板及栅极上；

有源层，位于所述栅极绝缘层上；

源极及漏极，位于所述有源层表面、所述栅极上方，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域形成背沟道，所述有源层与所述源极及漏极接触的区域定义为源漏极接触区；以及

隔绝层，位于所述源漏极接触区之间、且与所述背沟道对应。

在其中一些实施例中，所述有源层包括设置在栅极绝缘层上的非晶硅层和设置在非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层，所述氧化层的厚度不小于所述N型掺杂非晶硅层的厚度。