[发明专利]一种基于SRAM的存内计算电路、装置及电子设备

权利要求书

1.一种基于SRAM的存内计算电路，其特征在于，包括：包含有锁存器的SRAM存储单元、第一传输单元、第二传输单元及逻辑运算单元；

所述第一传输单元的第一控制端与所述SRAM存储单元内锁存器的第一输出端连接，所述第一传输单元的第二控制端与第一位线连接，所述第一传输单元的第一端与所述逻辑运算单元的第一输入端及第三位线连接；所述第一传输单元的第二端接地或接电源；

所述第二传输单元的第一控制端与所述SRAM存储单元内锁存器的第二输出端连接，所述第二传输单元的第二控制端与第二位线连接，所述第二传输单元的第一端与所述逻辑运算单元的第二输入端及第四位线连接；所述第二传输单元的第二端接地或接电源；

所述第一传输单元，用于从SRAM存储单元的锁存器内获取所述第一操作数，从所述第一位线中获取第二操作数，并根据所述第一操作数及第二操作数控制所述逻辑运算单元的第一输入端接收的第一信号；

所述第二传输单元，用于从SRAM存储单元的锁存器内获取所述第三操作数，从所述第二位线中获取第四操作数，并根据所述第三操作数及第四操作数控制所述逻辑运算单元的第二输入端接收的第二信号；

所述逻辑运算单元，用于根据所述第一输入端接收的第一信号及第二输入端接收的第二信号进行逻辑运算，得到所述第一操作数及第二操作数的积，和/或所述第一操作数及第二操作数的和。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：SRAM选择单元及第一预充单元；

所述SRAM存储单元的输入输出端与SRAM选择单元的第一端连接，所述SRAM选择单元的第二端与所述第一位线连接；

所述SRAM选择单元，用于根据控制端接收的第一控制信号选择SRAM存储单元；

所述第一预充单元的第一端与电源连接，所述第一预充单元的第二端与所述SRAM选择单元的第一端连接，用于根据控制端接收的第二控制信号向所述SRAM选择单元的第一端充电。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，还包括：逻辑选择单元及第二预充单元；

所述逻辑运算单元的第一输入端与第三位线连接包括：

所述逻辑运算单元的第一输入端与所述逻辑选择单元的第一端连接，所述逻辑选择单元的第二端与所述第三位线连接；

所述第二预充单元的第一端与电源连接，所述第二预充单元的第二端与所述逻辑选择单元的第一端连接，用于根据控制端接收的第三控制信号向所述逻辑选择单元的第一端充电；

所述逻辑选择单元，用于根据控制端接收的第四控制信号控制所述逻辑运算单元的第一输入端接收的第一信号。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一传输单元包括：第一晶体管及第二晶体管；

所述第一传输单元的第一控制端与所述SRAM存储单元内锁存器的第一输出端连接，所述第一传输单元的第二控制端与第一位线连接，所述第一传输单元的第一端与所述逻辑运算单元的第一输入端及第三位线连接；所述第一传输单元的第二端接地或接电源包括：

所述第一晶体管的栅极与所述SRAM存储单元内锁存器的第一输出端连接，所述第二晶体管的栅极与所述第一位线连接，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的漏极接地或接电源，所述第二晶体管的源极与所述逻辑运算单元的第一输入端及第三位线连接。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二传输单元包括：第三晶体管及第四晶体管；

所述第二传输单元的第一控制端与所述SRAM存储单元内锁存器的第二输出端连接，所述第二传输单元的第二控制端与第二位线连接，所述第二传输单元的第一端与所述逻辑运算单元的第二输入端及第四位线连接；所述第二传输单元的第二端接地或接电源包括：

第三晶体管的栅极与所述SRAM存储单元内锁存器的第二输出端连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二位线连接，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的漏极接地或接电源，所述第四晶体管的源极与所述逻辑运算单元的第二输入端及第四位线连接。