[发明专利]一种晶圆切割刀片复合沉积层的制备方法

说明书

本发明公开了一种晶圆切割刀片复合沉积层的制备方法，具体包括以下步骤：将若干环形刀片作为沉积基体从上到下等距安装在沉积工装上，环形刀片被划分为沉积面和非沉积面；将两个镍质阳极通过隔板分隔在电镀槽的两侧，两个隔板之间填充有电镀液，沉积工装可转动的设置在电镀液中，其中，向电镀液中加入金刚石颗粒，非沉积面采用挡板遮住并作为阴极的电路接口；在电镀过程中，控制电镀液PH、电流密度、转动频率，使得金刚石颗粒均匀生长在所述沉积面上,在步骤S2中，沉积工装在转动过程中同步对电镀液进行漩涡式搅拌,本发明提高了金刚石在环形刀片上生长的均匀性。

技术领域：

本发明涉及一种晶圆切割刀片的生产技术领域，尤其是一种晶圆切割刀片复合沉积层的制备方法。

背景技术：

近年来，随着各种小型化电子产品，尤其是面向移动通信产品的SIP、IC卡以及RFID终端产品等被正式推向市场，芯片厚度在100um以下的产品在市场上也日益趋向于实用化，随着客户对最终产品需求的不断扩大，晶片加工技术的重要性也在逐步提高，目前，在加工晶片时，主要采用晶圆切割刀片对晶片进行加工切割，晶圆切割刀片的生产流程一般需要经过前处理、复合沉积、半成品检测、外圆修磨等步骤，其中，复合沉积是将金刚石颗粒生长在环形刀片上，一般是采用电沉积工艺，然而在实际电镀过程中，金刚石颗粒在环形刀片上的生长沉积较为随机，这就导致生长金刚石后的环形刀片在厚度上较为不均匀，增加了后续对环形刀片的处理难度。

发明内容：

本发明的目的提供一种晶圆切割刀片复合沉积层的制备方法，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。

为解决上述技术问题，本发明的创新点在于：具体包括以下步骤：

S1、将若干环形刀片作为沉积基体从上到下等距安装在沉积工装上，环形刀片被划分为沉积面和非沉积面；

S2、将两个镍质阳极通过隔板分隔在电镀槽的两侧，两个隔板之间填充有电镀液，沉积工装可转动的设置在电镀液中，其中，向电镀液中加入金刚石颗粒，非沉积面采用挡板遮住并作为阴极的电路接口；

S3、在电镀过程中，控制电镀液PH、电流密度、转动频率，使得金刚石颗粒均匀生长在所述沉积面上；

在步骤S2中，沉积工装在转动过程中同步对电镀液进行漩涡式搅拌。

进一步的，上述沉积工装包括转动设置在旋转电机上的转杆以及设置在转杆底部的底盘，转杆的顶部可拆卸的连接在旋转电机上，转杆从上到下间隔分布有若干螺纹面、光滑面，环形刀片安装在光滑面上，挡板螺纹连接在螺纹面上且用于夹紧固定环形刀片。

进一步的，上述底盘的外侧套装有叶轮盘，叶轮盘从外到内依次被划分为外盘和内盘，内盘上分布有若干延伸方向朝上的扰流叶片，外盘的底部分布有若干延伸方向朝下的搅拌叶片，扰流叶片和搅拌叶片的延伸方向相互平行。

进一步的，上述扰流叶片为折弯的弧形面，扰流叶片的其中一个弧形面焊接固定在内盘上，扰流叶片另一个弧形面的延伸方向朝向转杆。

进一步的，上述搅拌叶片可自由转动的设置在外盘的底部，搅拌叶片为倾斜方向远离转杆的螺旋体。

进一步的，在步骤S3中，电镀液的PH范围是3.5-4.5，电流密度为1.5-3.5A/dm2，转动频率为20Hz-30Hz。

本发明的有益效果在于：

1、本发明提供了一种晶圆切割刀片复合沉积层的制备方法，非沉积面通过挡板挡住电镀液，避免金刚石沉积在非沉积面上，其次，在环形刀片随着沉积工装的转动过程中，沉积工装带动电镀液呈漩涡式搅拌，有利于电镀液中的金刚石在围绕沉积面进行扩散，从而提高了金刚石颗粒在沉积面上生长的均匀性。