[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111186670.3 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113937065A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 金成镇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78;B28D5/02;B28D5/00;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底层；
器件层，位于所述基底层上方，所述器件层包括第一介质层和器件结构，所述第一介质层填充所述器件层且隔离所述器件结构；
应力传播层，位于所述器件层上方，所述应力传播层包括第二介质层和间隔设置的多个应力传播图案，所述第二介质层填充所述应力传播层且隔离所述应力传播图案。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构具有多个芯片区，相邻两个所述芯片区之间设置有切割道，所述器件层和所述应力传播层至少设置在所述切割道内。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，多个所述应力传播图案呈阵列排布于所述切割道内。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在一个所述切割道内所述应力传播图案沿切割方向至少排列有两列。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的硬度小于所述第二介质层的硬度。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在平行于所述基底层方向，所述应力传播图案的截面形状为矩形、圆形、椭圆形中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述应力传播图案的材料为金属铝。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层的材料为低k介电材料。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件结构包括测试结构。
10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底层；
在所述基底层上方形成器件层，所述器件层包括第一介质层和器件结构，所述第一介质层填充所述器件层且隔离所述器件结构；
在所述器件层上方形成应力传播层，所述应力传播层包括第二介质层和间隔设置的多个应力传播图案，所述第二介质层填充所述应力传播层且隔离所述应力传播图案。
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的硬度小于所述第二介质层的硬度。
12.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构具有多个芯片区，相邻两个所述芯片区之间设置有切割道，所述器件层和所述应力传播层至少形成于所述切割道内。
13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
沿所述切割道对所述半导体结构进行切割。
14.根据权利要求13所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，通过激光或旋转刀片沿所述切割道对所述半导体结构进行切割以分离所述芯片区。
15.根据权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在一个所述切割道内所述应力传播图案沿切割方向至少排列有两列；
所述沿所述切割道对所述半导体结构进行切割包括沿两列所述应力传播图案之间的区域进行切割。
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