[发明专利]一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种ATO靶材前驱体，其特征在于：制备原料包括以下组分：氧化锡和氧化锑；

所述氧化锑的质量分数为0.15％～1.8％；

所述氧化锡的比表面积在15m²/g至25m²/g之间；

所述氧化锑的比表面积在15m²/g至25m²/g之间。

2.一种制备如权利要求1所述ATO靶材前驱体的方法，其特征在于：包括以下步骤：将所述氧化锡和所述氧化锑混合后干燥。

3.一种如权利要求1所述的ATO靶材前驱体在制备ATO靶材中的应用。

4.一种ATO靶材，其特征在于：所述ATO靶材由权利要求1所述的ATO靶材前驱体制备得到；所述ATO靶材的密度范围在2.6g/cm³至4.0g/cm³之间。

5.一种制备如权利要求4所述ATO靶材的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将所述ATO靶材前驱体喷雾造粒后得ATO粉体；

S2、将所述ATO粉体模压成型，冷等静压，得毛坯靶材；

S3、将所述毛坯靶材脱脂后烧结。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述ATO粉体的D50在5μm至15μm之间。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述步骤S2中模压成型，压力为0.1MPa～0.8MPa；优选地，所述步骤S2中冷等静压，压力为200MPa～400MPa。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述步骤S3中脱脂的温度为400℃～700℃；所述步骤S3中脱脂的升温速度为0.5℃/min～2℃/min；优选地，所述步骤S3中脱脂的升温速度为0.5℃/min～1℃/min。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述步骤S3中烧结的温度为1000℃～1500℃；优选地，所述烧结的气氛为氧气；优选地，所述烧结的氧气压力≤1.0Mpa；优选地，所述步骤S3中烧结的升温速度为0.5℃/min～5℃/min；更优选地，所述步骤S3中烧结的升温速度为2℃/min～3℃/min；优选地，所述步骤S3中烧结的降温速度为5℃/min～10℃/min；更优选地，所述步骤S3中烧结的降温速度为6℃/min～7℃/min。

10.一种如权利要求4所述的ATO靶材在制备TFT-LCD显示中的应用。