[发明专利]一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用

说明书

本发明公开了一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用，该前驱体制备原料包括以下组分：氧化锡和氧化锑；所述氧化锑的质量分数为0.15％～1.8％；所述ATO靶材前驱体的比表面积在15m²/g至25m²/g之间。本发明通过控制氧化锑掺入的比例制得了电阻均匀性优异及光学透过率高的ATO靶材。

技术领域

本发明涉及光电功能材料技术领域，具体涉及一种ATO靶材前驱体及其制备方法与应用。

背景技术

伴随着显示科技的发展，液晶显示器(LCD)以其低工作电压、低功耗、低辐射、以及轻薄美观等优势，为大众所喜爱，已成为市场的主流。随着人们对液晶显示器认知度的逐渐提高，对于显示性能也提出了越来越高的要求，如高亮度、高对比度、高响应速度等，而且对于整个显示器的画质要求也越来越苛刻。

而残影问题已经成为影响显示性能的主要因素，残影主要是由于器件中ITO(氧化铟锡)薄膜的低电阻特性引起电场强度分布不均(电阻太低会造成反复响应过程存在交变电场，会影响液晶的偏转。)，两侧边缘电场强度差别明显而无法完全抵消所引起。

为了解决残影问题，必须寻找一种新的材料替代ITO材料，其制成的薄膜在可见光范围具有高透过性以及高电阻的电学性能。

因此，需要开发一种ATO靶材前驱体，利用该ATO靶材前驱体制得的ATO靶材透过率高，且溅射电阻均匀性高。

发明内容

为解决现有技术中存在的问题，本发明的提供了一种ATO靶材前驱体，利用该ATO靶材前驱体制得的ATO靶材透过率高，且溅射电阻均匀性高。

本发明还提供了上述ATO靶材前驱体的制备方法。

本发明还提供了上述ATO靶材前驱体的应用。

本发明还提供了一种ATO靶材，该ATO靶材均匀度高。

本发明还提供了上述ATO靶材的制备方法。

本发明还提供了上述ATO靶材的应用。

本发明的第一方面提供了一种ATO靶材前驱体，制备原料包括以下组分：氧化锡和氧化锑；

所述氧化锑的质量分数为0.15％～1.8％；

所述氧化锡的比表面积在15m²/g至25m²/g之间；

所述氧化锑的比表面积在15m²/g至25m²/g之间。

根据本发明的一些实施方式，所述ATO靶材前驱体的比表面积在10m²/g至15m²/g之间。

前驱体的比表面积越高，烧结活性就越高，更容易烧结，但粉末更细，压制成型的弹性后效太大，靶材容易分层或开裂；比表面积越低，需要的烧结温度越高，更难烧结。

本发明的第二方面提供了上述ATO靶材前驱体的制备方法，包括以下步骤：将所述氧化锡和所述氧化锑混合后干燥。

根据本发明的一些实施方式，所述氧化锡的比表面积在15m²/g至20m²/g之间。

根据本发明的一些实施方式，所述氧化锑的比表面积在20m²/g以上。

干燥温度会使粉体会轻微长大，造成BET下降。另外粉体混合后，微观相互咬合，也会造成BET变小。

根据本发明的一些实施方式，所述干燥的温度为100℃～140℃。

根据本发明的一些实施方式，所述干燥的温度为120℃。