[发明专利]半导体封装装置在审
| 申请号： | 202111188896.7 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114050141A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈昭丞;张皇贤;周泽川 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体封装装置，包括：
线路层，表面设置有焊盘，所述焊盘表面设置有金属粒子层；
电子元件，设置于所述线路层上，主动面通过打线与所述焊盘电连接，所述打线的一端键合至所述金属粒子层上。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层包括平铺的复数个金属粒子。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层包括呈粒子矩阵排布的复数个金属粒子。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层中相邻的金属粒子之间具有缝隙。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层的材料包括：铜、银或金。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层的界面粗糙度包括10纳米至100纳米。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述打线的一端与所述金属粒子层键合的温度小于150摄氏度。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述打线的一端与所述金属粒子层键合的抗拉伸强度大于5克。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层的厚度包括50纳米至800纳米。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述金属粒子层中金属粒子的直径包括25纳米至200纳米。
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