[发明专利]半导体封装装置

说明书

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：线路层，表面设置有焊盘，焊盘表面设置有金属粒子层；电子元件，设置于线路层上，主动面通过打线与焊盘电连接，打线的一端键合至金属粒子层上。通过在金属粒子层上键合打线的一端，降低了打线与焊盘电连接时的键合温度，进而改善因打线与焊盘直接结合时的键合温度软化线路层介电材料导致的焊盘下陷的问题。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及半导体封装装置。

背景技术

在扇出型重布线层上键合打线是目前新颖的封装技术。在扇出型重布线层结构中，PI(Polyimide，聚酰亚胺)软材料被广泛用作介电层和钝化层，然而在打线键合制程时，打线金属(例如铜Cu)与重布线层焊盘金属(例如Cu)结合需要较高的温度，通常在200摄氏度以上，因此结合过程中PI会因高温而软化，使重布线层焊盘下陷于PI内，降低了打线与扇出型重布线层的键合效果。

发明内容

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括：

线路层，表面设置有焊盘，所述焊盘表面设置有金属粒子层；

电子元件，设置于所述线路层上，主动面通过打线与所述焊盘电连接，所述打线的一端键合至所述金属粒子层上。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层包括平铺的复数个金属粒子。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层包括呈粒子矩阵排布的复数个金属粒子。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层中相邻的金属粒子之间具有缝隙。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层的材料包括：铜、银或金。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层的界面粗糙度包括10纳米至100纳米。

在一些可选的实施方式中，所述打线的一端与所述金属粒子层键合的温度小于150摄氏度。

在一些可选的实施方式中，所述打线的一端与所述金属粒子层键合的抗拉伸强度大于5克。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层的厚度包括50纳米至800纳米。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层中金属粒子的直径包括25纳米至200纳米。

第二方面，本公开提供了一种半导体封装装置的制造方法，包括：

提供介电层；

刻蚀所述介电层的表面，以使所述介电层的表面形成粗糙界面；

在所述介电层表面溅射金属粒子，以形成金属粒子层；

提供线路层，所述线路层表面设置有焊盘；

将所述金属粒子层设置于所述线路层上，并去除所述金属粒子层与所述线路层表面非焊盘区域对应部分。

在一些可选的实施方式中，所述金属粒子层的厚度包括50纳米至800纳米。

在一些可选的实施方式中，所述方法还包括：

提供电子元件；

将所述电子元件设置于所述线路层上；

将打线的一端键合至所述电子元件，另一端键合至所述金属粒子层，以使所述电子元件与所述焊盘电连接。