[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111189248.3 | 申请日: | 2021-10-12 |
公开(公告)号: | CN113937112A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 刘乐;李子华;张瑞卿;王强;王旭东;金文强;景国栋;郭强;王旭;蔡璐;徐东;李春波;徐国芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有显示区和围绕所述显示区的周边区;所述阵列基板包括:
衬底;
第一绝缘层,设置于所述衬底上;
第一金属层,设置于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧;所述第一金属层包括位于所述周边区的第一信号线和第二信号线,所述第一信号线沿第一方向延伸;沿第一方向,所述第一信号线的端部与所述第二信号线的至少部分相对设置,所述第一信号线的端部与所述第二信号线之间具有间隔;
其中,所述周边区包括围绕所述显示区的封装区,所述封装区被配置为设置粘合剂,所述粘合剂覆盖所述第一信号线和/或所述第二信号线的至少部分;所述第一绝缘层中位于所述间隔处的部分设置有第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层还包括延伸图案,所述延伸图案与所述第一信号线位于所述第一凹槽的同侧,且所述延伸图案与所述第一信号线靠近所述第一凹槽的一端耦接;所述延伸图案的长度延伸方向与所述第一方向相交叉。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一凹槽和所述延伸图案均沿第二方向延伸,且所述第一凹槽的长度大于或等于所述延伸图案的长度;所述第一方向和所述第二方向相垂直。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括依次层叠设置于所述衬底上的层间介质层和源漏金属层;
所述第一绝缘层为所述层间介质层,所述第一金属层为所述源漏金属层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括依次层叠设置于所述衬底和所述层间介质层之间的半导体层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、第二栅绝缘层和第二栅金属层;
所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层中的至少一者,在所述间隔处设有第二凹槽,所述第二凹槽在所述衬底上的正投影与所述第一凹槽在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二凹槽在所述衬底上的正投影,与所述第一栅金属层和所述第二栅金属层的图案在所述衬底上的正投影相互错开。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一凹槽的侧壁为台阶面。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层远离所述衬底的一面设有第一凸起,所述第一信号线设置于所述第一凸起上;所述第一凸起的侧壁形成所述第一凹槽的侧壁的一部分,以使所述第一凹槽的侧壁形成台阶面;和/或,
所述第一绝缘层上设置有第二凸起,所述第二信号线设置于所述第二凸起上;所述第二凸起的侧壁形成所述第一凹槽的侧壁的一部分,以使所述第一凹槽的侧壁形成台阶面。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
至少一个栅极驱动电路,所述栅极驱动电路包括级联的多个移位寄存器,所述多个移位寄存器沿第一方向排列;
至少一条起始信号线,所述起始信号线沿第一方向延伸,且与至少一个移位寄存器耦接;
其中,所述第一信号线为所述起始信号线;所述第二信号线为第一电压信号线。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述至少一个栅极驱动电路包括扫描驱动电路和发光驱动电路,所述扫描驱动电路包括级联的多个扫描移位寄存器,所述发光驱动电路包括级联的多个发光移位寄存器;
所述至少一条起始信号线包括扫描起始信号线和发光起始信号线,所述扫描起始信号线与至少一个扫描移位寄存器耦接,所述发光起始信号线与至少一个发光移位寄存器耦接;
其中,所述阵列基板包括至少一条第一信号线,所述至少一条第一信号线包括所述扫描起始信号线和/或所述发光起始信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的