[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

多个栅极结构，位于基底上，所述多个栅极结构在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

多个分离图案，分别穿透所述多个栅极结构中的紧邻的栅极结构，

其中，所述多个分离图案中的每个将所述紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构，并且

其中，所述多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。

2.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

下介电层，位于所述多个栅极结构之间并且在所述多个分离图案之间延伸，

其中，所述多个栅极结构中的每个包括：栅电极，在第二方向上延伸；以及栅极覆盖图案，位于栅电极的顶表面上，并且

其中，所述多个分离图案之间的下介电层的最上表面的高度等于或高于栅极覆盖图案的顶表面的高度。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个分离图案中的每个的最上表面的高度等于或高于栅极覆盖图案的顶表面的高度。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个分离图案中的每个的最上表面的高度等于所述多个分离图案之间的下介电层的最上表面的高度。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述多个栅极结构中的每个还包括：栅极介电图案，沿着栅电极的底表面延伸；以及一对栅极间隔件，分别位于栅电极的相对侧表面上，并且

所述多个分离图案中的每个穿透包括在所述紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构中的栅极覆盖图案、栅电极和栅极介电图案。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，包括在所述紧邻的栅极结构中的每个栅极结构中的所述一对栅极间隔件分别延伸到所述多个分离图案中的对应的一个分离图案的侧表面上。

7.如权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个有源图案，在基底上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开；以及

器件隔离图案，位于所述多个有源图案之间，

其中，所述多个栅极结构位于所述多个有源图案和器件隔离图案上并且跨过所述多个有源图案和器件隔离图案，并且

其中，所述多个分离图案位于器件隔离图案上。

8.如权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个源极/漏极图案，位于基底上并且位于所述多个栅极结构中的每个的相对侧上；以及

多个第一接触件，位于所述多个栅极结构中的每个的相对侧上并且分别连接到所述多个源极/漏极图案中的对应的源极/漏极图案，

其中，所述多个第一接触件中的至少一个在所述多个分离图案之间延伸并且穿透所述多个分离图案之间的下介电层。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个第一接触件中的每个的最上表面的高度高于所述多个分离图案中的每个的最上表面的高度。

10.如权利要求8所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

上介电层，位于下介电层上，上介电层覆盖所述多个栅极结构和所述多个分离图案，

其中，所述多个第一接触件中的每个穿透上介电层和下介电层。

11.如权利要求1至权利要求10中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述多个分离图案中的每个具有在第一方向上的第一宽度，并且

多个分离图案中的奇数编号的分离图案的第一宽度与所述多个分离图案中的偶数编号的分离图案的第一宽度不同。

12.如权利要求1至权利要求10中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述多个分离图案分别具有在所述第一方向上的第一宽度，

其中，所述多个分离图案的第一宽度彼此相等。