[发明专利]半导体装置

说明书

公开了半导体装置。所述半导体装置包括多个栅极结构和多个分离图案，多个栅极结构在基底上沿第一方向彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个分离图案分别穿透多个栅极结构中的紧邻的栅极结构。多个分离图案中的每个将紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构。多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。

本申请要求于2021年2月16日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0020472号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置和/或其制造方法，更具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体装置和/或其制造方法。

背景技术

半导体装置包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)组成的集成电路。随着半导体装置的尺寸和设计规则逐渐减小，MOSFET的尺寸也逐渐缩小。MOSFET的缩小会使半导体装置的操作特性劣化。因此，已经进行了各种研究以制造具有优异性能的半导体装置，同时克服了由于半导体装置的集成而导致的限制。

发明内容

本发明构思的一些实例实施例提供能够防止或减轻图案中缺陷的发生的半导体装置和/或其制造方法。

本发明构思的一些示例实施例提供了具有改善的电特性的半导体装置和/或其制造方法。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体装置包括：多个栅极结构，位于基底上，所述多个栅极结构在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个分离图案，分别穿透所述多个栅极结构中的紧邻的栅极结构。所述多个分离图案中的每个将相邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构。所述多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体装置包括：多个栅极结构，位于基底上，所述多个栅极结构在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个分离图案，分别穿透所述多个栅极结构中的紧邻的栅极结构，所述多个分离图案沿着第一方向彼此对齐；以及下介电层，位于所述多个分离图案之间。所述多个分离图案横跨下介电层在第一方向上彼此间隔开。所述多个栅极结构中的每个包括栅电极和在栅电极的顶表面上的栅极覆盖图案。下介电层的最上表面的高度等于或高于栅极覆盖图案的最上表面的高度。

根据本发明构思的示例实施例，一种制造半导体装置的方法包括：在基底上形成多个栅极结构，使得所述多个栅极结构在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；在所述多个栅极结构上形成掩模层；在掩模层上形成多个阻挡掩模图案，使得所述多个阻挡掩模图案在第一方向上彼此间隔开并且在第二方向上延伸，所述多个阻挡掩模图案与所述多个栅极结构之间的下层间介电层竖直叠置；在所述多个阻挡掩模图案上形成具有开口的初步切割掩模图案，所述开口在第一方向上延伸，跨过所述多个栅极结构中的紧邻的栅极结构，并且暴露所述多个阻挡掩模图案的部分；通过使用初步切割掩模图案和所述多个阻挡掩模图案作为蚀刻掩模来对掩模层进行图案化，以形成具有在第一方向上彼此间隔开的多个孔的切割掩模图案，所述多个孔分别与相邻的栅极结构竖直叠置；以及通过使用切割掩模图案作为蚀刻掩模来形成分别穿透相邻的栅极结构的多个通孔。

附图说明

图1例示了示出根据本发明构思的示例实施例的半导体装置的平面图。

图2A、图2B和图2C分别例示了沿着图1的线I-I'、II-II'和III-III'截取的剖视图。

图3、图5、图7、图9、图11、图13、图15、图17和图19例示了示出根据本发明构思的示例实施例的制造半导体装置的方法的平面图。

图4A、图6A、图8A、图10A、图12A、图14A、图16A、图18A和图20A分别例示了沿着图3、图5、图7、图9、图11、图13、图15、图17和图19的线I-I'截取的剖视图。