[发明专利]一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法在审
申请号: | 202111191366.8 | 申请日: | 2021-10-13 |
公开(公告)号: | CN114005732A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 王泳彬;蒋超伟 | 申请(专利权)人: | 江苏芯梦半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陈婷婷 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 工艺 自动 清洗 方法 | ||
1.一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,所述工艺腔体具有内腔,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
S1、所述内腔中的旋转装置绕第一转动中心线旋转,所述旋转装置上的清洗喷嘴向所述工艺腔体的内侧壁喷射清洗液,所述第一转动中心线沿所述内腔的轴向延伸;
S2、所述清洗喷嘴绕第二转动中心线旋转角度α,所述第二转动中心线沿所述内腔的径向延伸,0α360°,然后再次执行所述步骤S1。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于:在所述步骤S2之后,还包括步骤S3:所述清洗喷嘴向所述工艺腔体的内侧壁喷射干燥气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于:所述清洗液为纯水,所述干燥气体为氮气。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于:在所述步骤S3之后,还包括步骤S4:所述清洗喷嘴绕第二转动中心线旋转角度β,0β360°,然后再次执行所述步骤S3。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于:在所述步骤S1之后,还包括步骤S21:所述清洗喷嘴沿所述内腔的径向运动距离ΔL,然后再次执行所述步骤S1;所述步骤S21与S2不分先后。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于,在所述步骤S2之后,还包括步骤S22:重复执行所述步骤S2共n次,所述α=360°/(n+1),n≥2。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于:在所述步骤S1中,所述清洗喷嘴的轴心线位于一沿上下方向延伸的虚拟平面内;在所述步骤S2中,所述α=180°。
8.根据权利要求1至7任一项所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于,在所述步骤S2之后,还包括步骤S5:所述工艺腔体沿所述内腔的轴向运动距离H,然后重复执行所述步骤S1与S2。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于:所述内腔具有沿自身的轴向依次设置的多层腔室,在所述步骤S5之前,所述清洗喷嘴位于其中一个所述腔室中;在所述步骤S5之后,所述清洗喷嘴位于另一个所述腔室中。
10.根据权利要求1至7任一项所述的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法,其特征在于,在所述步骤S1之前,包括步骤S0:检测所述工艺腔体是否满足工艺条件,若不满足,则执行所述步骤S1与S2;若满足,则依次执行步骤S6、S7及S8;
S6、将待处理的基板传入所述工艺腔体,所述基板处理装置对所述基板进行处理;
S7、将处理后的所述基板移出所述工艺腔体;
S8、重复执行所述步骤S0。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造