[发明专利]一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法

说明书

本发明公开了一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法，工艺腔体具有内腔，方法包括如下步骤：S1、内腔中的旋转装置绕第一转动中心线旋转，旋转装置上的清洗喷嘴向工艺腔体的内侧壁喷射清洗液，第一转动中心线沿内腔的轴向延伸；S2、清洗喷嘴绕第二转动中心线旋转角度α，第二转动中心线沿内腔的径向延伸，0α360°，然后再次执行步骤S1。本发明提供的基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法，能够在基板处理前后，针对不同的湿法工艺，采用特定的方式对工艺腔体进行自动清洗，来避免设备长时间运行过程中产生的残留物对被处理基板的影响，提高基板的良率和工艺腔体的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体的湿法处理工艺，尤其涉及一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法。

背景技术

在半导体的湿法处理工艺过程中，基板被放置在工艺腔体中，通过一定的化学药液对基板执行特定的加工处理，例如刻蚀、清洗、涂胶、去胶、显影处理等。当基板在该工艺腔体中处理完毕后，使用过的化学药液不可避免地会部分残留在腔体中，产生的残留物会在腔体的内表面沉积、积聚并结晶，进而容易剥落。这就导致在执行下一轮基板处理时，剥落的晶体等物质可能会污染待处理的基板，影响基板的清洗效果，从而降低基板的良率。

为了减轻上述药液残留对基板的污染影响，现有技术中，通常需要在工艺运行一段时间后，停机并人工擦除腔体内表面的残留物。这种人工擦除的方法存在诸多缺陷：1、定期的停机处理会耗费大量时间，大大降低设备的运行效率；2、基板的处理过程中会使用多种化学药液，不同药液在腔体表面混合甚至发生化学反应，很难通过人工彻底擦除；3、腔体结构复杂，内部空间狭小，人工很难对一些死角位置进行擦除；4、大多数基板处理中使用的化学药液具有腐蚀性，毒性较强，会对人体产生健康危害，严重时甚至可能导致安全事故。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种基板处理装置的工艺腔体的自动清洗方法，所述工艺腔体具有内腔，所述方法包括如下步骤：

S1、所述内腔中的旋转装置绕第一转动中心线旋转，所述旋转装置上的清洗喷嘴向所述工艺腔体的内侧壁喷射清洗液，所述第一转动中心线沿所述内腔的轴向延伸；

S2、所述清洗喷嘴绕第二转动中心线旋转角度α，所述第二转动中心线沿所述内腔的径向延伸，0α360°，然后再次执行所述步骤S1。

优选地，在所述步骤S2之后，还包括步骤S3：所述清洗喷嘴向所述工艺腔体的内侧壁喷射干燥气体。

进一步优选地，所述清洗液为纯水，所述干燥气体为氮气。

进一步优选地，在所述步骤S3之后，还包括步骤S4：所述清洗喷嘴绕第二转动中心线旋转角度β，0β360°，然后再次执行所述步骤S3。优选β=180°。

优选地，在所述步骤S1之后，还包括步骤S21：所述清洗喷嘴沿所述内腔的径向运动距离ΔL，然后再次执行所述步骤S1；所述步骤S21与S2不分先后。

优选地，在所述步骤S2之后，还包括步骤S22：重复执行所述步骤S2共n次，所述α=360°/(n+1)，n≥2。

优选地，在所述步骤S1中，所述清洗喷嘴的轴心线位于一沿上下方向延伸的虚拟平面内；在所述步骤S2中，所述α=180°。

优选地，在所述步骤S2之后，还包括步骤S5：所述工艺腔体沿所述内腔的轴向运动距离H，然后重复执行所述步骤S1与S2。

进一步优选地，所述内腔具有沿自身的轴向依次设置的多层腔室，在所述步骤S5之前，所述清洗喷嘴位于其中一个所述腔室中；在所述步骤S5之后，所述清洗喷嘴位于另一个所述腔室中。