[发明专利]功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的方法

说明书

一种用于制造功率半导体封装体的方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿至少一个系杆，从而形成切割表面；以及在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。

技术领域

本公开总体上涉及功率半导体封装体以及用于制造功率半导体封装体的方法。

背景技术

功率半导体封装体可以被配置为以高电压和/或高电流操作。因此，功率半导体封装体可能必须满足关于其部件之间或功率半导体封装体与其环境之间的电绝缘的严格要求。在绝缘不足的情况下，可能会发生诸如泄漏电流或电气短路之类的故障。为了提供足够的绝缘，功率半导体封装体可能需要沿着功率半导体封装体的外表面具有某个最小爬电距离。例如，最小爬电距离可能必须隔离600V或更高，甚至1kV或更高的电位差。改进的功率半导体封装体和用于制造功率半导体封装体的改进的方法可以展示改进的绝缘能力以及进一步的优点。

发明内容

各个方面涉及一种用于制造功率半导体封装体的方法，所述方法包括：提供包括裸片焊盘和框架的引线框架，其中，裸片焊盘通过至少一个系杆连接到框架；将半导体裸片附接到裸片焊盘；通过激光切割而切穿所述至少一个系杆，从而形成切割表面；和在激光切割之后，在裸片焊盘和半导体裸片之上模制，其中，切割表面被模制化合物完全覆盖。

各个方面涉及一种功率半导体封装体，其包括：裸片焊盘，其包括至少一个系杆残段，其中，切割表面被布置在所述至少一个系杆残段的端部处；半导体裸片，其附接到裸片焊盘；和包封物，其包封半导体裸片，其中，包封物完全覆盖切割表面，并且切割表面包括通过激光切割制造的微结构。

附图说明

附图示出了示例并且与下面的描述一起用于解释本公开的原理。本公开的其它示例和许多预期优点将容易理解，因为它们通过参考以下详细描述变得更好理解。附图的元件不一定相对于彼此成比例。相同的附图标记表示相应的相似部分。

图1A和1B示出了包括系杆残段的功率半导体封装体的俯视图和剖视图，其中，包封物完全覆盖系杆残段的切割表面。

图2示出了另一功率半导体封装体的俯视图，其中，外部引线从包封物暴露，但系杆残段的切割表面没有从包封物暴露。

图3A和3B示出了另一功率半导体封装体的俯视图和细节图，其中，两个外部引线之间的爬电距离在细节图中示出。

图4A-4E示出了根据用于制造功率半导体器件的示例性方法处于不同制造阶段的图2的功率半导体封装体。

图5A-5C示出了根据一个示例的可以用于功率半导体封装体中的示例性系杆。

图6示出了根据一个示例的可以用于功率半导体封装体中的示例性裸片焊盘。

图7A-7C示出了用于制造功率半导体封装体的包封物的方法，其中，在模制期间使用可收回销将裸片焊盘保持在位。

图8示出了可以用于功率半导体封装体的制造的用于激光切割的设备。

图9是用于制造功率半导体封装体的示例性方法的流程图。

具体实施方式

在以下详细描述中，参考所描述的附图的取向使用方向性术语，例如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为本公开的部件可以以多个不同的取向定位，所以方向性术语仅用于说明的目的。可以利用其它示例并且可以进行结构或逻辑改变。