[发明专利]一种高分子材料镀膜工艺

权利要求书

1.一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：包括镀氮氧化硅膜层步骤，在待加工件表面镀氮氧化硅膜层作为后续镀膜层的打底层。

2.根据权利要求1所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤：

A1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8-3:1；

A2、调整真空度为0.1-1.33Pa；

A3、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为2nm-200nm，此膜层作为氮氧化硅膜层与待加工件高分子材料层的界面结合层。

3.根据权利要求1所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述氮氧化硅膜层中，所述镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤：

A1’、向镀膜腔室中通入氩气、氧气和氮气，氧和氮的原子数比例范围为1:20-1:1；

A2’、调整真空度为0.1-1.33Pa；

A3’、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为2nm-200nm，此膜层作为氮氧化硅膜层与待加工件高分子材料层的界面结合层。

4.根据权利要求2或3所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：包括镀氮氧化硅膜层步骤后的镀光学膜层步骤，镀光学膜层步骤包括镀低折射率膜层子步骤和镀高折射率膜层子步骤，所述第折射率子步骤包括如下步骤：

B1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8-3:1；

B2、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为10nm-200nm氧化硅膜层，此氧化硅膜层膜层作为光学膜层中的低折射率膜层。

5.根据权利要求4所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀高折射率膜层包括如下步骤：

C1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8-3:1；

C2、打开高折射率靶材料靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层为厚度10nm-200nm的金属氧化物膜层，此金属氧化物膜层作为光学膜层中的高折射率膜层。

6.根据权利要求4所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀高折射率膜层包括如下步骤：

D1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8-3:1；

D2、调整真空度为0.1-1.33Pa；

D3、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为2nm-200nm的氮化硅膜层，此氮化硅膜层作为光学膜层中的高折射率膜层。

7.根据权利要求5或6所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述镀光学膜层步骤包括多次循环的镀低折射率膜层子步骤和镀高折射率膜层子步骤，循环间隔包括抽真空子步骤，抽真空子步骤调整真空度为5.0×10-3——6.0×10-3Pa。

8.根据权利要求7所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：包括清洗干燥步骤、抽真空步骤、轰击步骤、镀氮氧化硅膜层步骤、镀光学膜层步骤和镀保护层步骤；

清洗干燥步骤：待加工件使用流动水清洗、润湿，采用除油剂进行超声波清洗；超声波清洗待加工件放入除油剂中，在40-80℃温度下浸泡；接着将待加工件放置在40-80℃温度的热水中漂洗；将待加工件转移到DI水中进行清洗，温度为40-80℃，DI水阻率小于18MΩ·cm；

抽真空步骤：调整真空度为9.0×10-3—6.0×10-7Pa；

轰击步骤：对待加工件施加不小于0.5kv的电压，冲入30-900sccm氩气，真空度为0.5-5pa，对待加工件表面进行粒子轰击处理，轰击时间为2-120min；

重复抽真空步骤和红及步骤2-20个循环。

9.根据权利要求8所述的一种高分子材料镀膜工艺，其特征在于：所述除油剂直链烷基苯磺酸钠(LAS)、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠(AES)、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵(AESA)、月桂醇硫酸钠(SDS)、月桂酰谷氨酸、壬基酚聚氧乙烯醚(TX-10)、平平加O、硬脂酸甘油单酯、木质素磺酸盐、重烷基苯磺酸盐、烷基磺酸盐(石油磺酸盐)、扩散剂NNO、扩散剂MF、烷基聚醚(PO-EO共聚物)、脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-3)等，除油剂质量比在2％-35％之间，温度控制在40-80℃之间。