[发明专利]一种LED晶粒外观检测方法

权利要求书

1.一种LED晶粒外观检测方法，其特征在于，包括：

对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档，所述外观参数文档包括晶粒缺陷面积比例；

根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒，所述可疑晶粒的晶粒缺陷面积比例在预设范围，所述第一合格晶粒的晶粒缺陷面积比例小于预设范围，所述第一不合格晶粒的晶粒缺陷面积比例大于预设范围；

获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外观缺陷种类，所述外观缺陷种类包括外延外观缺陷和污染外观缺陷；

根据所述外观缺陷种类将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶粒，其中，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为外延外观缺陷，则所述可疑晶粒为第二不合格晶粒，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为污染外观缺陷，则所述可疑晶粒为第二合格晶粒，所述第一合格晶粒和第二合格晶粒组成合格晶粒，所述第一不合格晶粒和第二不合格晶粒组成不合格晶粒；

其中，所述外延外观缺陷是指由LED晶粒的外延缺陷所引起的外观缺陷，所述污染外观缺陷是指LED晶粒在制备过程中由外界污染所引起的外观缺陷；

其中，将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒的方法包括：

设定第一判断标准，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例小于等于第一判断标准，则所述LED晶粒为初选晶粒，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例大于第一判断标准，则所述LED晶粒为第一不合格晶粒；

设定第二判断标准，若所述初选晶粒的晶粒缺陷面积比例小于第二判断标准，则所述初选晶粒为第一合格晶粒，若所述初选晶粒的晶粒缺陷面积比例大于等于第二判断标准，则所述初选晶粒为可疑晶粒；

其中，所述第二判断标准中晶粒缺陷面积比例小于第一判断标准中晶粒缺陷面积比例。

2.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述外观参数文档还包括晶粒缺陷面积，其中，晶粒缺陷面积比例=晶粒缺陷面积/晶粒出光面积，所述晶粒出光面积是指LED晶粒在光学检测设备上出光面正投影的面积，所述晶粒缺陷面积是LED晶粒在光学检测设备上缺陷正投影的总面积。

3.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述外观缺陷种类包括掉电极、发光层脱落、划痕、粘有污染物、凹陷、裂痕中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述第一判断标准中晶粒缺陷面积比例为30%~60%，所述第二判断标准中晶粒缺陷面积比例为10%~40%。

5.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，对所述可疑晶粒进行扫描，以生成所述可疑晶粒的图片；

将所述可疑晶粒的图片传送至显示设备，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外观缺陷种类，将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶粒。

6.如权利要求1所述的LED晶粒外观检测方法，其特征在于，所述LED晶粒外观检测方法还包括：

获取所述LED晶粒的位置信息，所述LED晶粒的位置信息包括合格晶粒的位置信息和不合格晶粒的位置信息；

根据所述LED晶粒的位置信息和外观参数文档，获得合格晶粒的外观信息和不合格晶粒的外观信息；

根据所述合格晶粒的外观信息和不合格晶粒的外观信息，将所述合格晶粒归为良品等级，将所述不合格晶粒归为不良品等级。