[发明专利]一种LED晶粒外观检测方法

说明书

本发明公开了一种LED晶粒外观检测方法，包括对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档；根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶粒和可疑晶粒；获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外观缺陷种类；根据所述外观缺陷种类将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶粒。本申请的检测方法在晶圆阶段进行复判，可以及时地将不合格晶粒挑选出来，避免不合格晶粒分选排列到成品方片上，从而省去人工目检的步骤，进而节省了大量的人力和显微镜成本。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED晶粒外观检测方法。

背景技术

LED晶圆在完成电性参数测试、外观自动光学检测(Automated OpticalInspection，AOI)、晶圆良品分选后，LED晶圆上相同等级的晶粒挑选至方片上， 最后需要对成品方片晶粒的外观进行人工目检复检，将AOI检测遗漏的异常晶 粒挑除，以便确保各晶粒的外观是符合出货的品质要求。

由于AOI检测能力无法做到100％，小部分的异常晶粒会挑选至方片上， 因此需要人工通过显微镜来进行复检，这种方式耗用大量的人力和显微镜设备， 即是为了挑除1％的不合格晶粒，而需要检查100％的成品晶粒，相当于99％的 时间是无用功，极大的影响效率和人工成本。

另外，人工显微镜挑除的方式，由于显微镜视野有限，容易漏挑和误挑， 导致异常晶粒没有挑除，形成品质异常。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED晶粒外观检测方法，效率 高，成本低，不合格晶粒的检出率高。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED晶粒外观检测方法，包括：

对LED晶粒进行光学检测，获得外观参数文档，所述外观参数文档包括晶 粒缺陷面积比例；

根据所述外观参数文档将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶 粒和可疑晶粒，所述可疑晶粒的晶粒缺陷面积比例在预设范围，所述第一合格 晶粒的晶粒缺陷面积比例小于预设范围，所述第一不合格晶粒的晶粒缺陷面积 比例大于预设范围；

获取可疑晶粒的图片，并根据所述可疑晶粒的图片判断所述可疑晶粒的外 观缺陷种类，所述外观缺陷种类包括外延外观缺陷和污染外观缺陷；

根据所述外观缺陷种类将所述可疑晶粒分为第二合格晶粒和第二不合格晶 粒，其中，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为外延外观缺陷，则所述可疑晶粒 为第二不合格晶粒，若所述可疑晶粒的外观缺陷种类为污染外观缺陷，则所述 可疑晶粒为第二合格晶粒，所述第一合格晶粒和第二合格晶粒组成合格晶粒， 所述第一不合格晶粒和第二不合格晶粒组成不合格晶粒。

作为上述方案的改进，所述外观参数文档还包括晶粒缺陷面积，其中，晶 粒瑕疵面积比例＝晶粒瑕疵面积/晶粒出光面积，所述晶粒出光面积是指LED晶 粒在光学检测设备上出光面正投影的面积，所述晶粒缺陷面积是LED晶粒在光 学检测设备上缺陷正投影的的总面积。

作为上述方案的改进，所述外延外观缺陷是指由LED晶粒的外延缺陷所引 起的外观缺陷，所述污染外观缺陷是指LED晶粒在制备过程中由外界污染所引 起的外观缺陷。

作为上述方案的改进，所述外观缺陷包括掉电极、发光层脱落、划痕、粘 有污染物、凹陷、裂痕中的一种或几种。

作为上述方案的改进，将所述LED晶粒分为第一合格晶粒、第一不合格晶 粒和可疑晶粒的方法包括：

设定第一判断标准，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例小于等于第一判 断标准，则所述LED晶粒为初选晶粒，若所述LED晶粒的晶粒缺陷面积比例大 于第一判断标准，则所述LED晶粒为第一不合格晶粒；