[发明专利]微同轴传输结构及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种微同轴传输结构，其特征在于，所述传输结构包括：

衬底；所述衬底为硅衬底，厚度不低于400微米；

金属导体，沿厚度方向贯穿所述衬底设置；

填充层，沿厚度方向贯穿所述衬底，并环绕所述金属导体设置；

第一阻挡层，位于所述金属导体与第一衬底区之间；所述第一衬底区为所述金属导体和所述填充层之间的衬底区域；

第一金属层，位于所述填充层与第二衬底区之间；所述第二衬底区为环绕所述填充层的衬底区域；

第二阻挡层，位于所述第一金属层与第二衬底区之间。

2.如权利要求1所述的传输结构，其特征在于，还包括：

第二金属层，位于所述第一衬底区与所述填充层之间；

第三阻挡层，位于所述第一衬底区与所述第二金属层之间。

3.如权利要求1所述的传输结构，其特征在于，所述填充层的材质为亚克力胶或环氧树脂。

4.如权利要求1所述的传输结构，其特征在于，所述填充层的填充宽度范围为10～100微米。

5.如权利要求1所述的传输结构，其特征在于，所述第一金属层的材质为单质金属或合金；所述单质金属为铜，银，金，铝，锌，铁，锡，铂中的其中一种，所述合金包括铜合金，银合金，金合金，铝合金，锌合金，铁合金，锡合金，铂合金中的至少一种。

6.如权利要求1所述的传输结构，其特征在于，所述第一金属层的宽度不低于10纳米。

7.如权利要求1所述的传输结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材质为氮化硅，氮化钛，氮化钽中的至少一种。

8.一种微同轴传输结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底的第一表面上形成第一盲孔和第二盲孔；其中，所述第二盲孔为环形盲孔，环绕所述第一盲孔设置；所述衬底为硅衬底，厚度不低于400微米；

在所述第一盲孔的侧壁以及所述第二盲孔的侧壁形成阻挡层；

在所述阻挡层的表面形成金属层；

在位于所述第二盲孔内的所述金属层的表面形成填充层；

在位于所述第一盲孔内的所述金属层的表面形成金属导体，并对所述衬底的第二表面进行减薄，直至露出所述金属导体；所述第二表面是所述第一表面的相对面。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层和所述金属层采用原子层沉积方法形成。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二盲孔内形成填充层，包括：

采用喷墨打印方法，在所述第二盲孔内形成所述填充层。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备使用如权利要求1～7中任一权项所述的微同轴传输结构。