[发明专利]微同轴传输结构及其制备方法、电子设备

说明书

本发明公开了一种微同轴传输结构及其制备方法，传输结构包括衬底；金属导体，沿厚度方向贯穿所述衬底设置；填充层，沿厚度方向贯穿所述衬底，并环绕所述金属导体设置；第一阻挡层，位于所述金属导体与第一衬底区之间；所述第一衬底区为所述金属导体和所述填充层之间的衬底区域；第一金属层，位于所述填充层与第二衬底区之间；所述第二衬底区为环绕所述填充层的衬底区域；第二阻挡层，位于所述第一金属层与第二衬底区之间。上述结构中的填充层在形成金属导体的过程中起到应力缓冲的作用，第一金属层作为信号屏蔽层能够减少金属导体在传输高频信号时的耗散和辐射损失，从而提高微同轴传输结构的传输带宽。

技术领域

本申请涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种微同轴传输结构及其制备方法、电子设备。

背景技术

随着芯片技术的发展，基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术的封装技术具有广阔的应用前景。目前，一种制备硅通孔结构的方案是使用博世BOSCH深孔干法刻蚀方法，在硅片上进行深孔刻蚀，刻蚀完成后使用酸或者碱性溶液对硅深孔侧壁进行修饰刻蚀，保证其侧壁的粗糙度控制在一定的范围内；再使用磁控溅射的方法在硅通孔的侧壁上沉积一层钛或者氮化钛薄膜，作为种子层金属扩散的阻挡层和黏附层，然后再在黏附层上使用磁控溅射的方法沉积种子层铜薄膜，在种子层上使用电镀的方法进行填充金属铜柱形成导电通路；在电镀完成后，将导电铜柱研磨平整(达到一定的设定规格SPEC范围)，然后将器件bonding在硅通孔上。

上述方法存在的问题是：制备得到的硅通孔结构的微同轴传输线缆存在传输带宽窄的问题，在传输高频信号时容易出现信号辐射损失严重等现象。

发明内容

本发明提供了一种微同轴传输结构及其制备方法、电子设备，以解决或者部分解决目前基于硅通孔的微同轴线缆结构存在的传输带宽窄，信号传输耗散以及辐射损失高的技术问题。

为解决上述技术问题，根据本发明一个可选的实施例，提供了一种微同轴传输结构，包括：

衬底；

金属导体，沿厚度方向贯穿所述衬底设置；

填充层，沿厚度方向贯穿所述衬底，并环绕所述金属导体设置；

第一阻挡层，位于所述金属导体与第一衬底区之间；所述第一衬底区为所述金属导体和所述填充层之间的衬底区域；

第一金属层，位于所述填充层与第二衬底区之间；所述第二衬底区为环绕所述填充层的衬底区域；

第二阻挡层，位于所述第一金属层与第二衬底区之间。

可选的，所述传输结构还包括：

第二金属层，位于所述第一衬底区与所述填充层之间；

第三阻挡层，位于所述第一衬底区与所述第二金属层之间。

可选的，所述衬底的厚度不低于400微米。

可选的，所述填充层的材质为亚克力胶或环氧树脂。

可选的，所述填充层的填充宽度范围为10～100微米。

可选的，所述第一金属层的材质为单质金属或合金；所述单质金属为铜，银，金，铝，锌，铁，锡，铂中的其中一种，所述合金包括铜合金，银合金，金合金，铝合金，锌合金，铁合金，锡合金，铂合金中的至少一种。

可选的，所述第一金属层的宽度不低于10纳米。

可选的，所述第一阻挡层的材质为氮化硅，氮化钛，氮化钽中的至少一种。

根据本发明另一个可选的实施例，提供了一种微同轴传输结构的制备方法，包括：

在衬底的第一表面上形成第一盲孔和第二盲孔；其中，所述第二盲孔为环形盲孔，环绕所述第一盲孔设置；