[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一绝缘层；

多个第一电极，所述多个第一电极穿透所述第一绝缘层；

多个第二电极，所述多个第二电极穿透所述第一绝缘层，所述多个第二电极中的每个位于所述多个第一电极之间；

第一高介电常数层，所述第一高介电常数层的介电常数高于所述第一绝缘层的介电常数；

多个第三电极，所述多个第三电极穿透所述第一高介电常数层，所述多个第三电极分别连接到所述多个第一电极；以及

多个第四电极，所述多个第四电极穿透所述第一高介电常数层，所述多个第四电极中的每个位于所述多个第三电极之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第三电极和所述多个第四电极沿第一方向和与所述第一方向相交的第二方向交替排布。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第一线路，所述第一线路沿与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向延伸，所述第一线路各自电连接所述多个第三电极中的沿所述第三方向排布的第三电极；以及

第二线路，所述第二线路沿所述第三方向延伸，所述第二线路各自电连接所述多个第四电极中的沿所述第三方向排布的第四电极。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括电容器，所述电容器由第一电容器电极和第二电容器电极配置，所述第一电容器电极包括彼此电连接的所述多个第一电极中的第一电极和所述多个第三电极中的第三电极，所述第二电容器电极包括彼此电连接的所述多个第二电极中的第二电极和所述多个第四电极中的第四电极。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括插置在所述第一绝缘层和所述第一高介电常数层之间的覆盖层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第二高介电常数层，所述第二高介电常数层位于所述第一高介电常数层上，所述第二高介电常数层的介电常数高于所述第一绝缘层的介电常数；

多个第五电极，所述多个第五电极穿透所述第二高介电常数层，所述多个第五电极分别连接到所述多个第三电极；以及

多个第六电极，所述多个第六电极穿透所述第二高介电常数层，所述多个第六电极分别连接到所述多个第四电极。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括基板，所述基板包括分别连接到所述多个第一电极并且包括第一类型杂质的多个第一有源区以及分别连接到所述多个第二电极并且包括第二类型杂质的多个第二有源区。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述多个第一有源区包括N型杂质，并且所述多个第二有源区包括P型杂质。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述多个第一电极和所述多个第二电极沿第一方向和与所述第一方向相交的第二方向交替排布，并且

其中，所述多个第一有源区中的每一个和所述多个第二有源区中的每一个沿与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

基板，所述基板位于所述第一绝缘层的底部；

栅电极，所述栅电极位于所述基板和所述多个第一电极之间，所述栅电极电连接所述多个第一电极；以及

结，所述结形成在所述基板中，所述结电连接到所述多个第二电极。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括电容器，所述电容器由第一电容器电极和第二电容器电极配置，所述第一电容器电极包括彼此电连接的所述栅电极、所述多个第一电极和所述多个第三电极，所述第二电容器电极包括彼此电连接的所述结、所述多个第二电极和所述多个第四电极。