[发明专利]半导体装置

说明书

本公开涉及一种半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；多个第一电极，所述多个第一电极穿透第一绝缘层；多个第二电极，所述多个第二电极穿透第一绝缘层，所述多个第二电极位于所述多个第一电极之间；第一高介电常数层，该第一高介电常数层的介电常数高于第一绝缘层的介电常数；多个第三电极，所述多个第三电极穿透第一高介电常数层，所述多个第三电极分别连接到所述多个第一电极；以及多个第四电极，所述多个第四电极穿透第一高介电常数层，所述多个第四电极位于所述多个第三电极之间。

技术领域

本公开总体上涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。

背景技术

半导体装置的集成度主要由单位存储器单元占据的面积决定。随着其中在基板上以单层形式形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，最近提出了一种其中在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。已经开发了各种结构和制造方法来提高三维半导体装置的操作可靠性。

发明内容

根据本公开的一个方面，可以提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一绝缘层；多个第一电极，所述多个第一电极穿透第一绝缘层；多个第二电极，所述多个第二电极穿透第一绝缘层，所述多个第二电极位于所述多个第一电极之间；第一高介电常数层，该第一高介电常数层的介电常数高于第一绝缘层的介电常数；多个第三电极，所述多个第三电极穿透第一高介电常数层，所述多个第三电极分别连接到所述多个第一电极；以及多个第四电极，所述多个第四电极穿透第一高介电常数层，所述多个第四电极位于所述多个第三电极之间。

根据本公开的另一方面，可以提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一高介电常数层；多个第一电极，所述多个第一电极穿透第一高介电常数层；多个第二电极，所述多个第二电极穿透第一高介电常数层至与所述多个第一电极的深度不同的深度；第二高介电常数层，该第二高介电常数层位于第一高介电常数层上；多个第三电极，所述多个第三电极穿透第二高介电常数层，所述多个第三电极电连接到所述多个第二电极；以及多个第四电极，所述多个第四电极穿透第二高介电常数层至与所述多个第三电极的深度不同的深度，所述多个第四电极与多个第一电极间隔开。

根据本公开的另一方面，可以提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一绝缘层；第一电极，该第一电极穿透第一绝缘层；第二电极，该第二电极穿透第一绝缘层，该第二电极与第一电极相邻；第一高介电常数层，该第一高介电常数层的介电常数高于第一绝缘层的介电常数；第三电极，该第三电极穿透第一高介电常数层，该第三电极连接到第一电极；以及第四电极，该第四电极穿透第一高介电常数层，该第四电极与第三电极相邻。

附图说明

现在将在下文中参照附图描述实施方式的示例。然而，这些示例可以以不同形式实施，并且不应被解释为局限于本文阐述的实施方式。

在附图中，为了图示清楚，可能放大尺寸。应当理解，当一个元件被称为位于两个元件“之间”时，该一个元件可以是该两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。相同的附图标记始终表示相同的元件。

图1A、图1B和图1C是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的视图。

图2A、图2B和图2C是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的视图。

图3A和图3B是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的视图。

图4A、图4B和图4C是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的视图。

图5A和图5B是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的结构的视图。

图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的制造方法的视图。

图7A和图7B是示出根据本公开的一个实施方式的半导体装置的制造方法的视图。