[发明专利]三维集成电路晶圆的测试方法、测试装置和三维集成电路

权利要求书

1.一种用于测试三维集成电路晶圆的测试方法，其特征在于，所述三维集成电路晶圆包括：

存储器晶圆，所述存储器晶圆包括存储器芯片；以及

非存储器晶圆，所述非存储器晶圆与所述存储器晶圆堆叠在一起并且包括非存储器芯片；

所述测试方法包括：

测试所述存储器芯片的工作温度以及所述非存储器芯片的工作温度；

根据所述非存储器芯片的工作温度与对准所述非存储器芯片的存储器芯片的工作温度之间的温度差，调整对准的存储器芯片的数据刷新频率。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在所述非存储器芯片的工作温度高于所述对准的存储器芯片的工作温度时，提高所述对准的存储器芯片的数据刷新频率。

3.根据权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，所述存储器芯片包括用于调整刷新时间间隔的电子保险丝，通过改变所述电子保险丝的状态来调整所述存储器芯片的行刷新时间，以调整所述存储器芯片的数据刷新频率。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述存储器芯片和所述非存储器芯片分别包括温度检测电路。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述非存储器芯片的工作温度高于所述对准的存储器芯片的工作温度的温度差越大，将所述对准的存储器芯片的行刷新时间间隔减小越多。

6.根据权利要求5所述的测试方法，其特征在于，

在所述非存储器芯片的工作温度与所述对准的存储器芯片的工作温度之间的温度差大于0℃且小于或等于5℃时，将所述对准的存储器芯片的行刷新时间间隔减小8ns；

在所述非存储器芯片的工作温度与所述对准的存储器芯片的工作温度之间的温度差大于5℃且小于或等于10℃时，将所述对准的存储器芯片的行刷新时间间隔减小16ns；

在所述非存储器芯片的工作温度与所述对准的存储器芯片的工作温度之间的温度差大于10℃且小于或等于20℃时，将所述对准的存储器芯片的行刷新时间间隔减小24ns；

在所述非存储器芯片的工作温度与所述对准的存储器芯片的工作温度之间的温度差大于20℃时，将所述对准的存储器芯片的行刷新时间间隔减小40ns。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述非存储器芯片与所述存储器晶圆中的多个存储器芯片对准，并且所述非存储器芯片包括多个温度检测电路；并且

当所述非存储器芯片上的各个温度检测电路检测到的工作温度高于与所述非存储器芯片上的该温度检测电路对准的存储器芯片的工作温度时，根据所述非存储器芯片上的该温度检测电路检测到的工作温度与所述对准的存储器芯片的工作温度之间的温度差来调整所述对准的存储器芯片的数据刷新频率。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述存储器晶圆与两个非存储器晶圆堆叠，并且在所述存储器晶圆上的存储器芯片的工作温度低于所述两个非存储器晶圆上与所述存储器芯片对准的位置处的工作温度时，根据所述存储器芯片的工作温度与所述两个非存储器晶圆上对准的位置处的工作温度之间的温度差来调整所述存储器芯片的数据刷新频率。

9.一种用于测试三维集成电路晶圆的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：

用于与三维集成电路晶圆连接的端口；

处理器；以及

存储器，所述存储器上存储有指令，当所述指令被所述处理器执行时，所述指令导致所述处理器执行根据权利要求1至8中任一项所述的用于测试三维集成电路晶圆的测试方法。

10.一种三维集成电路，其特征在于，所述三维集成电路包括存储器芯片和非存储器芯片，所述存储器芯片和所述非存储器芯片都包括用于测量温度的电路，所述三维集成电路经由根据权利要求1至8中的任一项所述的用于测试三维集成电路晶圆的测试方法来调整所述存储器芯片的数据刷新频率。