[发明专利]三维集成电路晶圆的测试方法、测试装置和三维集成电路

说明书

本发明公开了用于测试三维集成电路晶圆的测试方法，其中所述三维集成电路晶圆包括：包括存储器芯片的存储器晶圆；以及非存储器晶圆，所述非存储器晶圆与所述存储器晶圆堆叠在一起并且包括非存储器芯片；所述测试方法包括：测试所述存储器芯片的工作温度以及所述非存储器芯片的工作温度；根据所述非存储器芯片的工作温度与对准所述非存储器芯片的存储器芯片的工作温度之间的温度差，调整对准的存储器芯片的数据刷新频率。本发明还涉及用于测试三维集成电路晶圆的测试装置和使用所述测试方法生成的三维集成电路。

技术领域

本发明涉及半导体领域。具体而言，本发明涉及用于测试三维集成电路晶圆的测试方法、用于测试三维集成电路晶圆的测试装置和使用所述测试方法生成的三维集成电路。

背景技术

随着半导体技术的发展，三维(3D)集成电路(IC)成为用于进一步减小半导体芯片的物理尺寸的有效选择。3D IC工艺将不同的晶圆堆叠起来，形成的新芯片由多个晶圆(例如，存储器晶圆、逻辑晶圆、处理器晶圆、外围电路晶圆等)上的不同系统构成。

然而，目前由3D IC技术堆叠制造的存储器芯片系统的产品良率并不高，经常出现数据丢失的问题。

因此，亟需解决现有技术中的上述技术问题。

发明内容

本发明涉及用于测试三维集成电路晶圆的测试方法、用于测试三维集成电路晶圆的测试装置和使用所述测试方法生成的三维集成电路。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于测试三维集成电路晶圆的测试方法，所述三维集成电路晶圆包括：

存储器晶圆，所述存储器晶圆包括存储器芯片；以及

非存储器晶圆，所述非存储器晶圆与所述存储器晶圆堆叠在一起并且包括非存储器芯片；

所述测试方法包括：

测试所述存储器芯片的工作温度以及所述非存储器芯片的工作温度；

根据所述非存储器芯片的工作温度与对准所述非存储器芯片的存储器芯片的工作温度之间的温度差来调整对准的存储器芯片的数据刷新频率。

本发明的实施方案通过在晶圆中加入用于测量温度的电路，并且在测试期间根据测量的温度动态调整存储器芯片的数据刷新频率，消除了非存储器芯片温度升高对存储器芯片的影响，从而保证了存储器数据保持能力，提高了产品良率。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于测试三维集成电路晶圆的测试装置，其中所述测试装置包括：

用于与三维集成电路晶圆连接的端口；

处理器；

以及存储器，所述存储器上存储有指令，当所述指令被所述处理器执行时，所述指令导致所述处理器执行根据上述第一方面的用于测试三维集成电路晶圆的测试方法。

根据本发明的第三方面，提供了一种三维集成电路，其中所述三维集成电路包括存储器芯片和非存储器芯片，所述存储器芯片和所述非存储器芯片都包括用于测量温度的电路，所述三维集成电路经由根据上述第一方面的用于测试三维集成电路晶圆的测试方法来调整所述存储器芯片的数据刷新频率。

附图说明

为了更好地理解本发明且示出如何实施本发明，现在将参考附图，在附图中：

图1例示了根据本发明的一个实施方案的测试三维集成电路晶圆的方法的流程图；

图2例示了根据本发明的一个实施方案的测试三维集成电路晶圆的方法的流程图；以及

图3例示了根据本发明的一个实施方案的测试三维集成电路晶圆的测试装置的示意图。

具体实施方式