[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有半导体基体，该半导体基体具有第1主面及与所述第1主面相反侧的主面即第2主面，

在所述半导体基体的第1元件区域设置有晶体管，

所述半导体基体在所述第1元件区域具有：

第1导电型的第1半导体层；

第2导电型的第2半导体层，其与所述第1半导体层相比设置于所述第1主面侧；

第1导电型的第3半导体层，其选择性地设置于所述第2半导体层的所述第1主面侧；

第1电极，其与所述第3半导体层电连接；以及

第4半导体层，其与所述第2半导体层相比第2导电型的杂质浓度高，配置于所述第2半导体层和所述第1电极之间，

所述半导体基体在所述第1元件区域设置有从所述第1主面将所述第3半导体层及所述第2半导体层贯穿而达到所述第1半导体层的多个第1沟槽，

所述多个第1沟槽在俯视观察时各自在第1方向上延伸，

所述多个第1沟槽在俯视观察时配置为条带状，

所述多个第1沟槽中的至少一部分是以在该第1沟槽内隔着栅极绝缘膜与所述第2半导体层相对的方式设置有栅极电极的有源沟槽，

所述多个第1沟槽的所述条带状的配置具有所述有源沟槽彼此相邻的部分，

在被相邻的沟槽夹着的区域即台面区域中的被相邻的所述有源沟槽夹着的台面区域，所述第3半导体层具有以与所述相邻的所述有源沟槽中的一个所述有源沟槽接触且与另一个所述有源沟槽不接触的方式离散地配置于所述第1方向的区域、以与所述另一个有源沟槽接触且与所述一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于所述第1方向的区域，

在被所述相邻的所述有源沟槽夹着的所述台面区域，所述第4半导体层在俯视观察时配置于与所述一个所述有源沟槽接触侧的所述第3半导体层和与所述另一个所述有源沟槽接触侧的所述第3半导体层之间、以及在所述第1方向上离散的所述第3半导体层的各区域之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在被所述相邻的所述有源沟槽夹着的所述台面区域，

在所述有源沟槽的侧壁处所述第3半导体层的离散的区域之一与所述有源沟槽的侧壁接触的所述第1方向上的宽度比在该所述有源沟槽的侧壁处在所述第1方向上相邻的所述第3半导体层的离散的区域间的所述第1方向上的宽度大。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在被所述相邻的所述有源沟槽夹着的所述台面区域，所述第4半导体层具有与所述相邻的所述有源沟槽两者接触的连续的区域，并且，就所述第1方向上的位置而言，该连续的区域包含所述第3半导体层的在所述第1方向上离散的多个区域。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述多个第1沟槽中的一部分为具有在该沟槽内隔着栅极绝缘膜形成的哑栅极电极的哑沟槽，

所述哑栅极电极与所述第1电极电连接，

所述第3半导体层形成为与哑沟槽的侧壁不接触。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

在被所述有源沟槽和所述哑沟槽夹着的台面区域，所述第3半导体层具有以与所述有源沟槽接触且与所述哑沟槽不接触的方式离散地配置于所述第1方向的区域。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，

所述多个第1沟槽的所述条带状的配置具有所述哑沟槽彼此相邻的部分，

在所述半导体基体和所述第1电极之间，以在俯视观察时在所述多个第1沟槽的所述条带状的配置中横跨相邻的所述哑沟槽间的方式形成有层间绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

在所述半导体基体和所述第1电极之间，在俯视观察时在所述多个第1沟槽的所述条带状的配置中在相邻的所述哑沟槽间的整体形成有所述层间绝缘膜。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述第3半导体层的所述第1方向上的配置根据第2方向上的位置而不同。