[发明专利]一种MRAM的写入方法、装置以及电路

权利要求书

1.一种MRAM的写入方法，其特征在于，包括：

当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值；

在写0操作的写周期内，通过将所述第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；

当对所述MRAM进行写1操作时，将所述参考电阻的阻值设置为第二电阻值；

在写1操作的写周期内，通过将所述第二电阻值与所述阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到所述预设阈值。

2.根据权利要求1所述的MRAM的写入方法，其特征在于，所述第一电阻值等于所述阻性存储单元的平行态电阻均值加上n倍的平行态电阻标准差，所述第二电阻值等于所述阻性存储单元的反平行态电阻均值减去m倍的反平行态电阻标准差；n与m为正数。

3.根据权利要求1所述的MRAM的写入方法，其特征在于，设置所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值方式为：

通过导通不同的开关模块，接入不同的阻性元件，使所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值。

4.根据权利要求1所述的MRAM的写入方法，其特征在于，设置所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值方式为：

通过对开关模块的控制端施加不同的电压，产生不同的等效阻值，使所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值。

5.根据权利要求1所述的MRAM的写入方法，其特征在于，所述当写入失败时重新写入包括：

当写入失败时，提高写电压后，重新写入。

6.一种MRAM的写入装置，其特征在于，包括：

设置单元，用于当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值；当对所述MRAM进行写1操作时，将所述参考电阻的阻值设置为第二电阻值；

第一写入单元，用于在写0操作的写周期内，通过将所述第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；

第二写入单元，用于在写1操作的写周期内，通过将所述第二电阻值与所述阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到所述预设阈值。

7.一种MRAM的写入电路，其特征在于，包括：

阻性存储单元、参考电路以及控制模块；

所述控制模块，用于当对MRAM进行写0操作时，将所述参考电路的参考电阻的阻值设置为第一电阻值；在写0操作的写周期内，通过将所述第一电阻值与所述阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；当对所述MRAM进行写1操作时，将所述参考电阻的阻值设置为第二电阻值；在写1操作的写周期内，通过将所述第二电阻值与所述阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到所述预设阈值。

8.根据权利要求7所述的MRAM的写入电路，其特征在于，所述第一电阻值等于所述阻性存储单元的平行态电阻均值加上n倍的平行态电阻标准差，所述第二电阻值等于所述阻性存储单元的反平行态电阻均值减去m倍的反平行态电阻标准差；n与m为正数。

9.根据权利要求7所述的MRAM的写入电路，其特征在于，所述参考电路包括多路开关模块与多路阻性元件；所述控制模块通过导通所述参考电路的不同的所述开关模块，接入不同的所述阻性元件，使所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值。

10.根据权利要求7所述的MRAM的写入电路，其特征在于，所述参考电路包括一路开关模块与一路定值电阻；所述控制模块通过对所述参考电路的所述开关模块的控制端施加不同的电压，产生不同的等效阻值，使所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值。