[发明专利]一种MRAM的写入方法、装置以及电路

说明书

本申请公开了一种MRAM的写入方法，包括：当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值；在写0操作的写周期内，通过将第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；当对MRAM进行写1操作时，将参考电阻的阻值设置为第二电阻值；在写1操作的写周期内，通过将第二电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值。该方法能够提高写入成功率，同时避免器件中间态的影响。本申请还公开了一种MRAM的写入装置以及电路，均具有上述技术效果。

技术领域

本申请涉及存储芯片技术领域，特别涉及一种MRAM的写入方法；还涉及一种MRAM的写入装置以及电路。

背景技术

MRAM即Magnetoresistive Random Access Memory是一种非易失性的磁性随机存储器，拥有静态随机存储器的高速读取写入能力以及动态随机存储器的高集成度。然而，由于MRAM的写入过程存在随机性与工艺波动，因此会有部分MRAM在以较短脉宽写入时，发生写入失败的情况。并且，还可能产生balloon效应，使整体工作电压大幅提升。为了在不过分提高写电压的前提下，提升写成功率，目前主要采取如下几种方式：一、延长写脉宽，以提升写入成功率；二、在一个写入周期内，进行多次写操作，以提升写入成功率；三、每次执行写入操作后，判断是否写入成功，并在写入失败时尝试再次写入，直到写入成功或者达到最大写操作次数。

然而，上述第一种写入方式与第二种写入方式将会极大的提升MRAM的整体写入功耗，同时对器件擦写次数产生额外损耗。上述第三种写入方式会由于balloon效应与器件中间态的存在而存在失效的可能。

有鉴于此，如何提高写入成功率，同时避免器件中间态的影响已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种MRAM的写入方法，能够提高写入成功率，同时避免器件中间态的影响。本申请的另一个目的是提供一种MRAM写入装置以及电路，均具有上述技术效果。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种MRAM的写入方法，包括：

当对MRAM进行写0操作时，将参考电阻的阻值设置为第一电阻值；

在写0操作的写周期内，通过将所述第一电阻值与阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到预设阈值；

当对所述MRAM进行写1操作时，将所述参考电阻的阻值设置为第二电阻值；

在写1操作的写周期内，通过将所述第二电阻值与所述阻性存储单元的阻值进行比较，判断是否写入成功，并当写入失败时重新进行写入，直至写入成功或写入次数达到所述预设阈值。

可选的，所述第一电阻值等于所述阻性存储单元的平行态电阻均值加上n倍的平行态电阻标准差，所述第二电阻值等于所述阻性存储单元的反平行态电阻均值减去m倍的反平行态电阻标准差；n与m为正数。

可选的，设置所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值方式为：

通过导通不同的开关模块，接入不同的阻性元件，使所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值。

可选的，设置所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值方式为：

通过对开关模块的控制端施加不同的电压，产生不同的等效阻值，使所述参考电阻的阻值为所述第一电阻值或所述第二电阻值。

可选的，所述当写入失败时重新写入包括：

当写入失败时，提高写电压后，重新写入。