[发明专利]一种大板级扇出型滤波器封装方法及其封装结构在审

专利信息
申请号: 202111204662.7 申请日: 2021-10-15
公开(公告)号: CN114079431A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 崔成强;杨斌 申请(专利权)人: 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超
地址: 528225 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 大板级扇出型 滤波器 封装 方法 及其 结构
【说明书】:

发明属于芯片封装技术领域,特别涉及一种大板级扇出型滤波器封装方法及其封装结构。该封装方法通过在大板上贴装多个滤波器芯片,并用塑封层将多个滤波器芯片封裹在内形成初步封装结构,再将大板去除,在初步封装结构上设置开设有通孔的空腔形成结构,再在空腔形成结构上覆盖压板以形成空腔,该空腔的位置与滤波器芯片的功能区相对应,通过大板的方式可对多个滤波器芯片同时进行封装,经过切割之后得到多个滤波器封装结构,大大提高生产效率,且工艺流程简单,降低制作成本。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域,特别涉及一种大板级扇出型滤波器封装方法及其封装结构。

背景技术

随着无线通信行业的快速发展,对滤波器提出了更高的要求。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator,简称为FBAR)具有体积小、成本低、品质因数(Q)高(滤波器的主要特性)、功率承受能力强、频率高且与IC技术兼容等特点,在无线通信领域得到广泛应用。

现有的FBAR滤波器封装结构通常是在滤波器芯片的功能面键合基板,然后在基板上进行硅通孔(TSV)互连结构,将滤波器芯片的信号焊盘电性引出至基板。但是,该封装方法存在线路集成度小等缺陷,且该基板通常是由多个硅基板组成的硅圆片,硅圆片的边缘处不能利用,使得硅基板的利用率较低,封装效率低。

因此,现有技术有待改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种大板级扇出型滤波器封装方法及其封装结构,大大提高了生产效率,且工艺流程简单,降低制作成本。

第一方面,本发明提供的一种大板级扇出型滤波器封装方法,包括以下步骤:

A1、提供大板,于所述大板沿其厚度方向的一侧面的预设位置上贴装多个滤波器芯片,所述滤波器芯片包括芯片衬底和形成于所述芯片衬底的正面的位于中部的功能区和位于所述功能区四周的若干焊盘;

B1、在所述大板设有所述滤波器芯片的一侧面设置塑封层,所述塑封层将多个所述滤波器芯片包裹在内从而形成初步封装结构;

C1、将所述大板从所述初步封装结构卸除;

D1、于所述初步封装结构露出所述功能区和所述焊盘的一侧面形成空腔形成结构,所述空腔形成结构的预设位置处开设有通孔,且所述通孔使得所述功能区露出;

E1、于所述空腔形成结构上覆盖压板,所述压板与所述通孔形成空腔;

F1、对所述初步封装结构进行切割,得到多个滤波器封装结构,每个所述滤波器封装结构有且仅有一个所述滤波器芯片。

本技术方案大大提高生产效率,且工艺流程简单,降低制作成本。

可选地,在所述步骤D1之中,包括以下步骤:

于所述初步封装结构露出所述功能区和所述焊盘的一侧面覆盖感光材料层;

对所述感光材料层依次进行曝光和显影,以形成预设位置处开设有通孔的空腔形成结构,所述通孔使得所述功能区露出。

该技术方案通过对感光材料层进行曝光、显影,所形成的通孔尺寸的精度高,且对滤波器芯片无影响,安全可靠。

可选地,在所述步骤D1之中,所述感光材料层的材料为感光干膜或感光聚酰亚胺。

可选地,在所述步骤D1之中,包括以下步骤:

于所述初步封装结构露出所述功能区和所述焊盘的一侧面覆盖介电材料层;

对所述介电材料层进行激光打孔,以形成预设位置处开设有通孔的空腔形成结构,所述通孔使得所述功能区露出。

该技术方案通过对介电材料层进行激光打孔,工艺简单。

可选地,在所述步骤D1之中,所述介电材料层的材料为聚酰亚胺、ABF、苯并环丁烯或环氧树脂。

可选地,在所述步骤D1之中,包括以下步骤:

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