[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，包括限定在第一方向上延伸的有源图案的器件隔离图案，有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；

位线，位于字线上，并且电连接到第一源极/漏极区，位线在与第一方向和第二方向两者相交的第三方向上延伸；

位线间隔件，位于位线的侧壁上；

存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，位线间隔件设置在位线与存储节点接触件之间；以及

介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间，

其中，位线间隔件包括：

第一间隔件，覆盖位线的侧壁；以及

第二间隔件，位于介电图案与第一间隔件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，

介电图案的顶表面与存储节点接触件的顶表面共面，并且

介电图案的底表面与基底的顶表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中，介电图案包括与第一间隔件的材料和第二间隔件的材料不同的材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储器装置，

其中，介电图案包括氧化硅或氧化铪。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储器装置，

其中，当在平面图中观看半导体存储器装置时，介电图案具有四方环状结构或圆环状结构。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储器装置，

其中，第二间隔件在第二方向上具有第一宽度，并且

其中，介电图案在第二方向上具有第二宽度，第二宽度比第二间隔件的第一宽度小。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

接合垫，电连接到存储节点接触件；以及

上掩埋图案，位于接合垫的侧壁上，

其中，位线间隔件在第一间隔件与第二间隔件之间设置有气隙，并且

其中，上掩埋图案覆盖气隙的顶部。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

位线覆盖图案，位于位线上；以及

位线接触件，电连接到第一源极/漏极区。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

接合垫，具有与存储节点接触件的电连接，并且与位线的一部分竖直地叠置；

底部电极，位于接合垫上；以及

顶部电极，位于底部电极上。

10.根据权利要求1至3以及7至9中任一项所述的半导体存储器装置，

其中，介电图案覆盖存储节点接触件的侧壁和第二间隔件的侧壁。

11.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，包括限定在第一方向上延伸的有源图案的器件隔离图案，有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；

字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；

位线，位于字线上，并且电连接到第一源极/漏极区，位线在与第一方向和第二方向两者相交的第三方向上延伸；

位线间隔件，位于位线的侧壁上；

存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，位线间隔件设置在位线与存储节点接触件之间；

介电栅栏，与字线竖直地叠置，并且位于存储节点接触件与另一存储节点接触件之间；以及

介电图案，位于存储节点接触件与位线间隔件之间以及位于存储节点接触件与介电栅栏之间，

其中，当在平面图中观看半导体存储器装置时，介电图案具有四方环状结构或圆环状结构。