[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括限定在第一方向上延伸并且包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的器件隔离图案；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上并且电连接到第一源极/漏极区，并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区，并且跨位线间隔件与位线间隔开；以及介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件包括覆盖位线的侧壁的第一间隔件和位于介电图案与第一间隔件之间的第二间隔件。

本申请要求于2020年11月16日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0152715号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体存储器装置。

背景技术

半导体装置由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子产业中具有重要作用。半导体装置随着电子产业的发展而已经越来越高度集成。为了半导体装置的高集成度，半导体装置的图案的线宽正在减小。然而，新的曝光技术和/或昂贵的曝光技术正被用于高度集成的半导体装置的精细图案。因此，最近已经对新的集成技术进行了各种研究。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有改善的电特性的半导体存储器装置。

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有提高的可靠性的半导体存储器装置。

本发明构思的目的不限于以上提及的内容，并且根据下面的描述，本领域技术人员将清楚地理解以上未提及的其他目的。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体存储器装置可以包括：基底，包括限定在第一方向上延伸的有源图案的器件隔离图案，有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上，并且电连接到第一源极/漏极区，位线在与第一方向和第二方向两者相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，位线间隔件设置在位线与存储节点接触件之间；以及介电图案，位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件可以包括：第一间隔件，覆盖位线的侧壁；以及第二间隔件，位于介电图案与第一间隔件之间。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体存储器装置可以包括：基底，包括限定在第一方向上延伸的有源图案的器件隔离图案，有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；字线，在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，位于字线上，并且电连接到第一源极/漏极区，位线在与第一方向和第二方向两者相交的第三方向上延伸；位线间隔件，位于位线的侧壁上；存储节点接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，位线间隔件设置在位线与存储节点接触件之间；介电栅栏，与字线竖直地叠置，并且位于存储节点接触件与另一存储节点接触件之间；以及介电图案，位于存储节点接触件与位线间隔件之间以及存储节点接触件与介电栅栏之间。当在平面图中观看半导体存储器装置时，介电图案可以具有四方环状结构或圆环状结构。