[发明专利]半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供伪堆叠结构；其中，所述伪堆叠结构包括：交替堆叠设置的绝缘层和间隙以及贯穿所述伪堆叠结构的凹槽，所述凹槽与所述间隙连通；

沿所述凹槽和所述间隙共形地沉积介电材料，以形成覆盖所述凹槽侧壁、所述间隙表面和所述凹槽底部的介电层；

对覆盖所述凹槽侧壁和覆盖所述凹槽底部的所述介电层进行掺杂处理，以形成第一掺杂区；

利用刻蚀剂去除所述第一掺杂区；其中，所述刻蚀剂与覆盖所述间隙表面的所述介电层之间的化学反应为惰性反应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对覆盖所述凹槽侧壁和覆盖所述凹槽底部的所述介电层进行掺杂处理，以形成第一掺杂区，包括：

对覆盖所述凹槽侧壁和覆盖所述凹槽底部的所述介电层进行离子注入处理，以在覆盖所述凹槽侧壁和覆盖所述凹槽底部的所述介电层中引入缺陷。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述刻蚀剂和所述第一掺杂区之间的反应速率，与所述刻蚀剂和覆盖所述间隙表面的所述介电层之间的反应速率之比大于25。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述介电层的组成材料包括：介电常数大于3.9的介电材料；

所述第一掺杂区中的掺杂粒子包括：硼、磷、氩、锗、铟、碳或氮；

所述刻蚀剂的组成材料包括：稀硫酸和双氧水的混合物，或者，氢氟酸。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述介电层的组成材料包括：氧化铝、氧化铪或者二氧化钛等。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供伪堆叠结构，包括：

在衬底上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括：交替堆叠设置的绝缘层和牺牲层，以及贯穿所述堆叠结构的支撑柱；

形成贯穿所述堆叠结构的所述凹槽；

去除所述牺牲层，以形成所述间隙；其中，所述间隙显露所述支撑柱的侧壁。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬底表面，包括：第一区域和第二区域；其中，所述堆叠结构位于所述第一区域；

所述方法还包括：

在沿所述凹槽和所述间隙共形地沉积所述介电材料的同时，形成覆盖所述第二区域的所述介电材料；

在对覆盖所述凹槽侧壁和覆盖所述凹槽底部的所述介电层进行掺杂处理时，对覆盖所述第二区域的所述介电材料进行所述掺杂处理，以在所述第二区域中形成第二掺杂区；

在利用所述刻蚀剂去除所述第一掺杂区时，利用所述刻蚀剂去除所述第二掺杂区。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在利用所述刻蚀剂去除所述第一掺杂区之后，依次形成覆盖所述间隙表面的所述介电层的阻挡层和栅极层。

9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法应用于制造三维存储器。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述三维存储器包括：3DNAND存储器。