[发明专利]芯片及其设计方法

权利要求书

1.一种芯片设计方法，其特征在于，所述方法包括：

根据芯片上多个标准单元的分布参数，确定所述芯片上至少两个不同区域的功耗；

根据所述至少两个不同区域的功耗，调整所述芯片上至少两个硅通孔的分布参数；

根据调整后的所述硅通孔的分布参数，调整所述芯片上多个标准单元的分布位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述至少两个不同区域的功耗，调整所述芯片上至少两个硅通孔的分布参数，包括：

确定所述芯片上功耗大于第一阈值的第一区域；

调整所述第一区域内的所述硅通孔的分布参数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述调整所述第一区域内的所述硅通孔的分布参数，包括：

增大所述第一区域内硅通孔的截面积；和/或

在所述第一区域内添加所述硅通孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述增大所述第一区域内硅通孔的截面积，包括：

若所述第一区域内包括至少一个所述硅通孔，增大所述第一区域内至少一个所述硅通孔的截面积。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一区域内添加所述硅通孔，包括：

若所述第一区域内不包括所述硅通孔，则在所述第一区域内添加至少一个所述硅通孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述若所述第一区域内不包括所述硅通孔，则在所述第一区域内添加至少一个所述硅通孔，包括：

确定位于所述第一区域外，且横坐标位于所述第一区域的横坐标范围内的第一硅通孔；

在所述第一区域内，添加至少一个第二硅通孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一区域内，添加至少一个第二硅通孔，包括：

在所述第一区域内且与所述第一硅通孔的横坐标相同的位置，添加与所述第一硅通孔尺寸相同的第二硅通孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据调整后的所述硅通孔的分布参数，调整所述芯片上多个标准单元的分布位置，包括：

调整所述芯片上多个标准单元的分布位置，使所述第一区域内的所述标准单元分布于所述第一区域内的硅通孔的覆盖范围以外。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述芯片上功耗大于第二阈值的第二区域；其中，所述第二区域位于所述第一区域内；所述第二区域的面积小于或等于所述第一区域的面积；

调整所述第二区域内的所述硅通孔的分布参数。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

调整所述芯片上多个标准单元的分布位置，使所述第二区域内的所述标准单元分布于所述第二区域内的硅通孔的覆盖范围以外。

11.根据权利要求1至10任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据调整后的所述硅通孔的分布参数和所述标准单元的分布位置，确定所述芯片的布线。

12.一种芯片，其特征在于，所述芯片采用权利要求1-9中任一方法设计，所述芯片包括：

衬底；

器件层，位于所述衬底上；所述器件层上包括多个标准单元；

硅通孔，贯穿所述衬底和所述器件层。