[发明专利]芯片及其设计方法

说明书

本申请实施例提供一种芯片及其设计方法，所述方法包括：根据芯片上多个标准单元的分布参数，确定所述芯片上至少两个不同区域的功耗；根据所述至少两个不同区域的功耗，调整所述芯片上至少两个硅通孔的分布参数；根据调整后的所述硅通孔的分布参数，调整所述芯片上多个标准单元的分布位置。

技术领域

本申请涉及芯片设计领域，涉及但不限于一种芯片及其设计方法。

背景技术

近年来，3D集成电路(Integrated Circuit，IC)得到了广泛的应用。3DIC的初期形态是将功能相同的裸芯片从下至上堆在一起，形成3D堆叠，再由两侧的键合线连接，最后以系统级封装(System-in-Package，SiP)的外观呈现。堆叠的方式可为金字塔形、悬臂形或并排堆叠等多种方式。

相关技术中，3D IC运行时会产生大量的热量，尤其是功耗较大的局部区域容易产生热量积聚，从而进一步导致温度上升，形成负循环，影响芯片性能，甚至导致芯片过温失效。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种芯片及其设计方法。

第一方面，本申请实施例提供了一种芯片设计方法，所述方法包括：

根据芯片上多个标准单元的分布参数，确定所述芯片上至少两个不同区域的功耗；

根据所述至少两个不同区域的功耗，调整所述芯片上至少两个硅通孔的分布参数；

根据调整后的所述硅通孔的分布参数，调整所述芯片上多个标准单元的分布位置。

在一些实施例中，所述根据所述至少两个不同区域的功耗，调整所述芯片上至少两个硅通孔的分布参数，包括：

确定所述芯片上功耗大于第一阈值的第一区域；

调整所述第一区域内的所述硅通孔的分布参数。

在一些实施例中，所述调整所述第一区域内的所述硅通孔的分布参数，包括：

增大所述第一区域内硅通孔的截面积；和/或

在所述第一区域内添加所述硅通孔。

在一些实施例中，所述增大所述第一区域内硅通孔的截面积，包括：

若所述第一区域内包括至少一个所述硅通孔，增大所述第一区域内至少一个所述硅通孔的截面积。

在一些实施例中，所述在所述第一区域内添加所述硅通孔，包括：

若所述第一区域内不包括所述硅通孔，则在所述第一区域内添加至少一个所述硅通孔。

在一些实施例中，所述若所述第一区域内不包括所述硅通孔，则在所述第一区域内添加至少一个所述硅通孔，包括：

确定位于所述第一区域外，且横坐标位于所述第一区域的横坐标范围内的第一硅通孔；

在所述第一区域内，添加至少一个第二硅通孔。

在一些实施例中，所述在所述第一区域内，添加至少一个第二硅通孔，包括：

在所述第一区域内且与所述第一硅通孔的横坐标相同的位置，添加与所述第一硅通孔尺寸相同的第二硅通孔。

在一些实施例中，所述根据调整后的所述硅通孔的分布参数，调整所述芯片上多个标准单元的分布位置，包括：

调整所述芯片上多个标准单元的分布位置，使所述第一区域内的所述标准单元分布于所述第一区域内的硅通孔的覆盖范围以外。

在一些实施例中，所述方法还包括：