[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一区和若干第二区，所述第二区表面具有交替的若干凸起和若干凹陷，并且，所述第二区表面低于第一区表面，或者所述第二区表面的最高处齐平于第一区表面；

位于所述第一区上的若干鳍部，若干鳍部之间的间距均匀；

位于所述第一区上的第一隔离层；

位于若干第二区表面的第二隔离层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层表面和所述第二隔离层表面高于若干鳍部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述交替的若干凸起和若干凹陷构成连续的波浪形表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在第一方向上，所述第一区表面和第二区表面之间的最小间距在3纳米以上，所述第一方向与垂直于第一区表面的方向平行。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区表面的最高处与最低处之间在第一方向上的间距在50埃以上，所述第一方向与垂直于第一区表面的方向平行。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有相互分立的若干初始鳍部，若干初始鳍部之间的间距均匀，所述衬底包括第一区和若干第二区，且若干初始鳍部位于所述第一区和若干第二区上；

在所述第一区表面和第一区上的若干初始鳍部表面形成第一隔离层、以及位于第一隔离层上的第一掩膜层，所述第一隔离层和第一掩膜层暴露出若干第二区的若干初始鳍部；

在形成第一掩膜层后，以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀若干第二区上的若干初始鳍部，形成若干中间鳍部，所述第二区上的中间鳍部顶面高于衬底表面且低于第一区上的中间鳍部顶面；

对若干第二区上的中间鳍部和衬底进行离子注入，在第二区上的中间鳍部和衬底中形成改性区；

刻蚀所述改性区，直至去除所述改性区，形成若干鳍部，并且，去除所述改性区之后，所述第二区表面具有交替的若干凸起和若干凹陷，所述第二区表面低于第一区表面，或者所述第二区表面的最高处齐平于第一区表面；在去除所述改性区后，在若干第二区表面形成第二隔离层。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层和第一掩膜层的方法包括：在第一区表面、若干第二区表面和若干初始鳍部表面形成初始第一隔离层；在所述初始第一隔离层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出若干第二区上的初始第一隔离层表面；以所述第一掩膜层为掩膜，对若干第二区上的初始第一隔离层进行刻蚀，直至去除若干第二区上的初始第一隔离层，形成所述第一隔离层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始第一隔离层的工艺包括流动性化学气相沉积工艺。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区表面交替的若干凸起和若干凹陷构成连续的波浪形表面。

10.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底和若干初始鳍部的材料包括硅，并且，所述对若干第二区上的中间鳍部和衬底进行离子注入的工艺参数包括：注入的离子包括砷离子或硼离子。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述改性区的工艺包括湿法刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀剂包括氢氟酸、硝酸和醋酸，并且，所述氢氟酸、硝酸和醋酸之间的比例为1:1:2。

13.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层表面和所述第二隔离层表面高于若干鳍部表面。