[发明专利]电子组件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111216256.2 申请日: 2021-10-19
公开(公告)号: CN115995444A 公开(公告)日: 2023-04-21
发明(设计)人: 郑仲淳;樊光明;许耀文 申请(专利权)人: 群创光电股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48;H01L21/66
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊晓
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 组件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电子组件,其特征在于,包含:

一绝缘层;以及

一第一金属凸块,设置于该绝缘层上且包含:

一第一金属层,设置于该绝缘层上;以及

一第二金属层,设置于该第一金属层上,

其中,在一剖面图中,该第一金属层具有一第一宽度,该第二金属层具有一第二宽度,且该第一宽度小于该第二宽度。

2.根据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,该第一宽度与该第二宽度的比值小于或等于0.95。

3.根据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,该第一金属凸块还包含一第三金属层,设置于该第二金属层上,该第三金属层具有一第三宽度,且该第一宽度小于该第三宽度。

4.根据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,在该剖面图中,该第一金属层具有一第一边缘,且该第一边缘位于该第二金属层下方。

5.根据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,该第一金属层包含一第一子金属层及一第二子金属层,该第一子金属层设置于该第二子金属层与该绝缘层之间,其中,该第一子金属层的宽度小于该第二子金属层的宽度。

6.根据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,该第一金属层在该绝缘层上具有一第一投影,该第二金属层在该绝缘层上具有一第二投影,且该第一投影的面积小于该第二投影的面积。

7.根据权利要求1所述的电子组件,其特征在于,还包含一第二金属凸块,该第二金属凸块设置于该绝缘层上且与该第一金属凸块相邻设置;其中,在该剖面图中,该第一金属层具有一第一边缘及与该第一边缘相对的一第二边缘,该第一边缘及该第二边缘位于该第二金属层下方,且该第一边缘较该第二边缘邻近该第二金属凸块,而该第二金属层具有一第三边缘及与该第三边缘相对的一第四边缘,该第三边缘较该第四边缘邻近该第二金属凸块;其中该第一边缘与该第三边缘的距离大于该第二边缘与该第四边缘的距离。

8.一种制备电子组件的方法,其特征在于,包含以下步骤:

提供一绝缘层,其中该绝缘层包含一第一区域及一第二区域,且该绝缘层上方依序设置有:

一第一金属层,设置于该绝缘层的该第一区域与该第二区域上;以及

一第二金属层,设置于该第一金属层上,且对应于该绝缘层的该第一区域;

形成一遮罩在该第一金属层上,且该屏蔽对应于该绝缘层的该第二区域;

移除部分设置于该第二区域的该第一金属层;

移除该遮罩;以及

移除设置于该第二区域的该第一金属层,以形成一电子组件,其中该电子组件包括:该绝缘层;及一第一金属凸块,设置于该绝缘层上且包含:

该第一金属层,设置于该绝缘层上;以及

该第二金属层,设置于该第一金属层上;

其中,在该电子组件的一剖面图中,该第一金属层具有一第一宽度,该第二金属层具有一第二宽度,且该第一宽度小于该第二宽度。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,该第一金属凸块还包含一第三金属层,设置于该第二金属层上,其中,在该电子组件的一剖面图中,该第三金属层具有一第三宽度,且该第一宽度小于该第三宽度。

10.一种制备电子组件的方法,其特征在于,包含以下步骤:

提供一绝缘层,其中该绝缘层包含一第一区域及一第二区域,且该绝缘层上方依序设置有:

一第一金属层,设置于该绝缘层的该第一区域上;以及

一第二金属层,设置于该第一金属层上;

在该绝缘层的该第二区域上形成一金属线,且该金属线与该第一金属层电性连接;以及

移除该金属线,以形成一电子组件,其中该电子组件包括:该绝缘层;及一第一金属凸块,设置于该绝缘层上且包含:

该第一金属层,设置于该绝缘层上;以及

该第二金属层,设置于该第一金属层上。

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