[发明专利]一种二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111217724.8 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113972190A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 侯斌;杨晓文;李照;鲁红玲;王忠芳;王双龙;胡长青 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种二极管，其特征在于，包括管壳、键合丝(5)、芯片(1)、管壳底座(2)、管壳引出端(4)以及电流泄放模块(3)；所述电流泄放模块(3)和芯片(1)位于管壳内部，且由上到下依次设置在管壳底座(2)上；
所述键合丝(5)一端连接电流泄放模块(3)，另一端与管壳引出端(4)相连；
所述电流泄放模块(3)在芯片(1)上的正投影面积大于键合丝(5)在芯片(1)上的正投影面积。
2.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于，所述电流泄放模块为导体模块或半导体模块。
3.根据权利要求2所述的一种二极管，其特征在于，所述导体模块为钼块、铝块、铜块、钨块或铜铝合金块中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的一种二极管，其特征在于，所述半导体模块为锗类或硅类半导体。
5.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于，所述电流泄放模块在芯片上的正投影面积小于芯片PAD区域的面积。
6.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于，所述电流泄放模块的厚度为50μm～5mm。
7.一种二极管的制备方法，其特征在于，通过以下方法制得：
S1：将芯片(1)的一侧固定于管壳底座(2)上；
S2：将电流泄放模块(3)的一端固定于完成步骤S1的芯片(1)的另一侧；
S3：将键合丝(5)的一端与完成步骤S2的电流泄放模块(3)的另一端连接，键合丝(5)的另一端与管壳引出端(4)连接，完成二极管的制备。
8.根据权利要求7所述的一种二极管的制备方法，其特征在于，所述芯片(1)与管壳底座(2)以及电流泄放模块(3)之间的采用焊接的方式连接。
9.根据权利要求7所述的一种二极管的制备方法，其特征在于，所述键合丝(5)与电流泄放模块(3)以及管壳引出端(4)之间通过超声的方式键合连接。
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