[发明专利]一种二极管及其制备方法

说明书

一种二极管，包括管壳、键合丝、芯片、管壳底座、管壳引出端以及电流泄放模块；电流泄放模块和芯片位于管壳内部，且由上到下依次设置在管壳底座上；键合丝一端连接电流泄放模块，另一端与管壳引出端相连；电流泄放模块在芯片上的正投影面积大于键合丝在芯片上的正投影面积。该二极管通过以下方法制得：将芯片的一侧固定于管壳底座上；将电流泄放模块的一端固定于芯片的另一侧；将键合丝的一端电流泄放模块的另一端连接，键合丝的另一端与管壳引出端连接，完成二极管的制备。该二极管制备快捷，在键合丝与芯片之间设置有电流泄放模块，可以有效缓解集中电流，分散电流密度，充分提高二极管的抗浪涌电流能力。

技术领域

本发明属于功率器件制作工艺技术领域，涉及一种二极管及其制备方法。

背景技术

在电子系统中，二极管是最常用的基础电子元器件之一。当给二极管加一正向电压时，器件开启导通，器件中有电流流过，并产生小的正向压降；当给二极管加一反向电压时，二极管截止，器件中只有小到可以忽略的漏电流通过。该现象即为二极管的单向导电特性。因此二极管可作为整流器使用。

浪涌电流是指在电源接通瞬间，流入电路的峰值电流。由于滤波电容迅速充电，浪涌电流的大小远远大于稳态输入电流，在电源接通瞬间浪涌电流对电路中正向整流器件的冲击很大，现有技术中，二极管器件在封装时通常通过键合丝直接连接在芯片表面和管壳引出端之间。在器件通过大浪涌电流时，由于芯片和键合丝之间的接触电阻大，所以通常在芯片和键合丝的接触区之间会发生熔断，严重时会直接烧毁芯片，所以浪涌电流对二极管的损伤较大。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种二极管及其制备方法，从而提高二极管的抗浪涌电流能力。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种二极管，包括管壳、键合丝、芯片、管壳底座、管壳引出端以及电流泄放模块；所述电流泄放模块和芯片位于管壳内部，且由上到下依次设置在管壳底座上；

所述键合丝一端连接电流泄放模块，另一端与管壳引出端相连；

所述电流泄放模块在芯片上的正投影面积大于键合丝在芯片上的正投影面积。

优选的，所述电流泄放模块为导体模块或半导体模块。

优选的，所述导体模块为钼块、铝块、铜块、钨块或铜铝合金块中的一种或多种。

优选的，所述半导体模块为锗类或硅类半导体。

优选的，所述电流泄放模块在芯片上的正投影面积小于芯片PAD区域的面积。

优选的，所述电流泄放模块的厚度为50μm～5mm。

一种二极管的制备方法，通过以下方法制得：

S1：将芯片的一侧固定于管壳底座上；

S2：将电流泄放模块的一端固定于完成步骤S1的芯片的另一侧；

S3：将键合丝的一端与完成步骤S2的电流泄放模块的另一端连接，键合丝的另一端与管壳引出端连接，完成二极管的制备。

优选的，所述芯片与管壳底座以及电流泄放模块之间的采用焊接的方式连接。

优选的，所述键合丝与电流泄放模块以及管壳引出端之间通过超声的方式键合连接。

与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：

本发明提供一种二极管，该二极管在键合丝与芯片之间设置有电流泄放模块，可以有效缓解集中电流，分散电流密度，充分提高二极管的抗浪涌电流能力。

进一步的，电流泄放模块为导体模块或半导体模块，可快速实现电流密度的降低。