[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法在审
申请号: | 202111217922.4 | 申请日: | 2021-10-19 |
公开(公告)号: | CN113809140A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 刘金贵;唐正韵;王明晖 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 尹红敏 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
光调整层,设置于所述衬底;
有源层,设置于所述光调整层背离所述衬底的一侧;
其中,所述光调整层具有折射部,至少部分所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述折射部在所述衬底上的正投影之内,所述折射部用于改变由所述衬底入射的光线路径,以减少入射至所述有源层的光量。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述折射部在所述阵列基板的厚度方向上具有相对的两个表面,所述两个表面中的至少一者朝向另一者弯曲;
优选的,所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区;
所述沟道区、所述源区和所述漏区中至少一者在所述衬底上的正投影与所述折射部在所述衬底上的正投影至少部分交叠设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述沟道区在所述衬底上的正投影位于所述折射部在所述衬底上的正投影之内;
优选的,至少部分所述源区和/或所述漏区在所述衬底上的正投影在所述折射部在所述衬底上的正投影之内。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述折射部包括与所述沟道区对应的第一部分及与所述源区和/或漏区对应的第二部分;
沿所述第一部分至所述第二部分的方向,所述折射部的厚度具有逐渐增大的趋势;
优选的,所述第一部分的透光率小于所述第二部分的透光率。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述光调整层还包括遮光部,所述折射部在所述衬底上的正投影至少部分环绕于所述遮光部在所述衬底上的正投影的外周;
所述沟道区在所述衬底上的正投影位于所述遮光部在所述衬底上的正投影之内。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,所述两个表面包括朝向所述有源层的第一表面,所述第一表面朝向远离所述有源层的方向凹陷;
优选的,所述折射部的材料包括:AL、MO、非晶硅、黑色树脂中的至少一者;
优选的,所述折射部的折射率为1.5~3.5。
7.根据权利要求2所述的阵列基板,所述两个表面包括朝向所述衬底的第二表面,所述第二表面朝向远离所述衬底方向凹陷;
优选的,还包括设置于所述衬底和所述光调整层之间的第一缓冲层,所述第一缓冲层包括用于支撑所述折射部的支撑部,所述支撑部朝向所述折射部的表面凸出设置;
优选的,所述支撑部的折射率小于或等于所述折射部的折射率。
8.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述光调整层包括沿衬底厚度方向层叠设置的多个子光调整层,至少部分所述子光调整层具有所述折射部;
沿所述衬底厚度方向,至少部分所述子光调整层的所述折射部与所述沟道区对应设置。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1至8任一项所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成折射材料层,对所述折射材料进行图案化处理形成折射部,所述折射部在所述阵列基板的厚度方向上具有相对的两个表面,所述两个表面中的至少一者朝向另一者弯曲;
在所述折射部上形成半导体材料层,对所述半导体材料层进行图案化处理形成具有沟道区的有源层,沿所述阵列基板的厚度方向,至少部分所述有源层在所述衬底上的正投影位于所述折射部在所述衬底上的正投影之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的