[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法

说明书

本申请公开一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，阵列基板包括：衬底；光调整层，设置于衬底；有源层，设置于光调整层背离衬底的一侧；其中，光调整层具有折射部，至少部分有源层在衬底上的正投影位于折射部在衬底上的正投影之内，折射部用于改变由衬底入射的光线路径，以减少入射至有源层的光量，进入折射部的光线会经由折射部偏折，因此光线被发散进而使得实际照射至有源层的光量更少，可以减缓光生载流子导致TFT特性偏移的现象，提高TFT的工作准确性。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的快速发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode_，OLED)已成为显示技术领域的研究热点，并在手机、平板等显示装置中得到了广泛的应用。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)作为OLED的核心部件，其性能会直接影显示装置的显示效果。然而，在显示装置的制造和使用过程中，TFT受到内部或外部光线照射下容易造成电学特性偏移，产生不良，无法保证正常显示效果。

发明内容

本申请提供一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法，能够提高薄膜晶体管的稳定性，改善显示效果。

本申请第一方面的实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底；光调整层，设置于衬底；有源层，设置于光调整层背离衬底的一侧；其中，光调整层具有折射部，沿阵列基板的厚度方向，至少部分有源层在衬底上的正投影位于折射部在衬底上的正投影之内，折射部用于改变由衬底入射的光线路径，以减少入射至有源层的光量。

根据本申请第一方面的实施方式，折射部在阵列基板的厚度方向上具有相对的两个表面，两个表面中的至少一者朝向另一者弯曲。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区；沿厚度方向，沟道区、源区和漏区中至少一者在衬底上的正投影与折射部在衬底上的正投影至少部分交叠设置。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，沟道区在衬底上的正投影位于所折射部在衬底上的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，沿厚度方向，至少部分源区和/或漏区在衬底上的正投影在折射部在衬底上的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，折射部包括与沟道区对应的第一部分及与源区和/或漏区对应的第二部分；沿第一部分至第二部分的方向，折射部的厚度具有逐渐增大的趋势。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一部分的透光率小于第二部分的透光率。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，光调整层还包括遮光部，折射部在衬底上的正投影至少部分环绕于遮光部在衬底上的正投影的外周；沟道区在衬底上的正投影位于遮光部在衬底上的正投影之内。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，两个表面包括朝向有源层的第一表面，第一表面朝向衬底凹陷成型。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，折射部的材料包括：AL、MO、非晶硅、黑色树脂中的至少一者。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，折射部的折射率为1.5～3.5。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，两个表面还包括朝向衬底的第二表面，第二表面朝向衬底凸出形成。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，阵列基板还包括设置于衬底和光调整层之间的第一缓冲层，第一缓冲层包括用于支撑折射部的支撑部，支撑部朝向折射部的表面凸出设置。

根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一缓冲层的折射率小于或等于折射部的折射率。