[发明专利]一种高性能小型化的IPD带通滤波器

权利要求书

1.一种高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于，包括由上至下设置的衬底基板(3)、电容介质层(2)和金属大地面(4)，所述衬底基板(3)上设有带通滤波器电路(1)以及相互导通的输入端(5)、输出端(6)和若干接地端口,所述带通滤波器电路(1)包括连接在输入端(5)和输出端(6)之间的三个LC串联谐振器和三个LC并联谐振器。

2.根据权利要求1所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述LC串联谐振器包括第一LC串联谐振器(11)、第二LC串联谐振器(12)和第三LC串联谐振器(13),各LC串联谐振器均由电感和两个电容串联而成，所述第一LC串联谐振器(11)与第二LC串联谐振器(12)串联在输入端(5)和输出端(6)之间，所述第三LC串联谐振器(13)连接在第一LC串联谐振器(11)和第二LC串联谐振器(12)之间。

3.根据权利要求2所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述LC并联谐振器包括第一LC并联谐振器(14)、第二LC并联谐振器(15)和第三LC并联谐振器(16)，各并联谐振器均由电感和两个电容并联而成，所述第一LC并联谐振器(14)一端与输入端(5)连接,另一端通过通孔连接于衬底基板(3)下表面的金属大地面(4)；所述第二LC并联谐振器(15)一端与输出端(6)连接，另一端通过通孔连接于衬底基板(3)下表面的金属大地面(4)。

4.根据权利要求3所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述第三LC串联谐振器(13)与第三LC并联谐振器(16)的一端连接，所述第三LC并联谐振器(16)的另一端通过通孔连接衬底基板(3)下表面的金属大地面(4)。

5.根据权利要求4所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述电感均采用之形电感，所述之形电感的电感线圈分布在衬底基板(3)的上表面，通过通孔连接形成之形垂直螺旋电感。

6.根据权利要求4所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述电容均采用MIM电容。

7.根据权利要求1所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述电容介质层(2)为氮化硅材料。

8.根据权利要求1所述的高性能小型化的IPD带通滤波器，其特征在于：所述衬底基板(3)为玻璃、硅、氧化铝、砷化镓或氮化镓半导体材料。