[发明专利]一种核岛环廊基坑负挖爆破结构和爆破方法

权利要求书

1.一种用于核岛环廊基坑负挖爆破结构的爆破方法，其特征在于，环廊基坑的爆破区通过内环线和外环线围设构成；

所述环廊基坑的爆破区分为多个爆破区间，多个所述爆破区间沿靠近保护区方向依次分为两个左右对称的第一爆破区间、两个左右对称的第二爆破区间、两个左右对称的第三爆破区间和两个左右对称的第四爆破区间；

所述内环线上间隔设有多个第一预裂孔，所述外环线上间隔设有多个第二预裂孔；

相邻的两个所述爆破区间之间设置至少一排第一掏槽孔；每个爆破区间靠近外环线的边缘间隔设有多个第二掏槽孔；每个爆破区间内均间隔设有多个第一主爆孔；

所述第一预裂孔、第二预裂孔、第一掏槽孔、第二掏槽孔和第一主爆孔均具有装药段和填塞段；

爆破方法，包括如下步骤：

S1:引爆第一预裂孔，形成内环槽；

S2:引爆第一掏槽孔，在相邻的两个所述爆破区间之间形成减振沟；

S3:依次引爆每个爆破区间的第一主爆孔形成沟槽，其中，在引爆第一爆破区间时，先引爆第二掏槽孔，再引爆其上的第一主爆孔，每个爆破区间的第一主爆孔从远离保护区向靠近保护区延伸引爆；

S4: 引爆第二预裂孔，形成外环槽。

2.如权利要求1所述的爆破方法，其特征在于，将所述环廊基坑沿深度方向规划为第一厚度层和第二厚度层，所述第一预裂孔、第二预裂孔、第一掏槽孔、第二掏槽孔和第一主爆孔均设置在所述第一厚度层，所述环廊基坑的深度为H，第一厚度层为h，h大于1/2H。

3.如权利要求2所述的爆破方法，其特征在于，在步骤S3完成后，在所述第二厚度层设有主爆区和引爆区，所述主爆区内间隔设有多个第二主爆孔，引爆区围设在所述主爆区的四周，所述引爆区内设有多个第三掏槽孔，所述第三掏槽孔和第二主爆孔装药后引爆，然后再进行步骤S4，第二主爆孔采用径向不耦合装药。

4.如权利要求3所述的爆破方法，其特征在于，所述主爆区的起爆网路被设置成孔间延期起爆。

5.如权利要求1所述的爆破方法，其特征在于，步骤S2中，所述环廊基坑的爆破区靠近内环线和外环线的边缘均设有辅助空孔。

6.如权利要求1所述的爆破方法，其特征在于，步骤S2和S3中，采用的是浅孔爆破的方式，各个炮孔密集系数小于1.5，第一掏槽孔、第一主爆孔和第二掏槽孔的装药结构为连续装药，炮孔排距小于孔距，孔距小于孔深度，堵塞段的长度大于炮孔深度的1/2；所述第一掏槽孔被布置成斜孔双楔形，炮孔倾角为50°-90°。

7.如权利要求1-6任一项所述的爆破方法，其特征在于，步骤S3中，多个所述爆破区间的起爆的先后顺序为：第一爆破区间、第二爆破区间、第三爆破区间、第四爆破区间，且起爆间隔时间为75-150ms；每个所述爆破区间内采用间隔起爆。

8.如权利要求1所述的爆破方法，其特征在于，在步骤S1中，第一预裂孔的孔距为0.6-1.1m，排距为2m；第一预裂孔采用间隔装药的方式，包括加强装药段、正常装药段和减弱装药段。

9.如权利要求1所述的爆破方法，其特征在于，步骤S4中，形成外环槽采用的方式是双向聚能爆破形成光面爆破。