[发明专利]一种核岛环廊基坑负挖爆破结构和爆破方法

说明书

本发明公开了一种核岛环廊基坑负挖爆破结构和爆破方法。本发明的环廊基坑的爆破区通过内环线和外环线围设构成；环廊基坑的爆破区分为多个爆破区间；内环线上间隔设有多个第一预裂孔，外环线上间隔设有多个第二预裂孔；相邻的两个爆破区间之间设置至少一排第一掏槽孔；每个爆破区间内均间隔设有多个第一主爆孔；第一预裂孔、第二预裂孔、第一掏槽孔、第二掏槽孔和第一主爆孔均具有装药段和填塞段。本发明可以在岩石基础的预定位置形成理想的环廊内、外圆周裂缝，进而可以进行以去除环廊内岩石为目的的主爆，同时由于考虑到振动、允差等技术要求，并采取了相应的合理措施，因此能够快速、优质地完成核岛环廊基坑负挖的施工操作。

技术领域

本发明涉及核电工程技术领域，尤其涉及一种核岛环廊基坑负挖爆破结构和爆破方法。

背景技术

现有技术中，核岛负挖环廊的方法存在一定的技术缺陷，例如：公开号为CN101368812A的中国专利公开了一种核岛负挖环廊预裂爆破方法，其步骤为：在选定位置根据核岛岛心标高下挖，并预留保留层；沿环廊内、外圆周分别以等间隔的间距钻孔；在孔底装入柔性材料作为缓冲垫层；在装入缓冲垫层且孔口留出堵塞深度的孔中分三段装药，底部为加强装药段，顶部为减弱装药段，中间为正常装药段；炸药装填好以后，孔口堵塞深度用常规材料填塞；起爆形成沿环廊内、外圆周的裂缝。然而，上述专利是一种预裂爆破结构与方法，即沿着核岛环廊轮廓线圆周钻密集孔，进行装药爆破，从而达到保证核岛环廊内、外圆周爆破后预留面的完整轮廓面及平整度的最终目的。该专利只能用于核岛环廊预裂缝隙的形成，达到减弱主体爆破对环廊壁面的破坏力度的目的，而不能用于基坑内需要进行爆破开挖的岩石的去除，达不到基坑开挖的最终目的，并且其在进行基坑负挖时，仍会出现较大的爆破震动，影响周围建筑。

发明内容

本发明的目的在于，针对现有技术上的不足，提出一种能够快速、优质地完成核岛环廊基坑负挖施工的爆破结构和爆破方法。

本发明的一种核岛环廊基坑负挖爆破结构，环廊基坑的爆破区通过内环线和外环线围设构成；

所述环廊基坑的爆破区分为多个爆破区间，多个所述爆破区间沿靠近保护区方向依次分为两个第一爆破区间、两个第二爆破区间、两个第三爆破区间和两个第四爆破区间；

所述内环线上间隔设有多个第一预裂孔，所述外环线上间隔设有多个第二预裂孔；

相邻的两个所述爆破区间之间设置至少一排第一掏槽孔；每个爆破区间靠近外环线的边缘间隔设有多个第二掏槽孔；每个爆破区间内均间隔设有多个第一主爆孔；

所述第一预裂孔、第二预裂孔、第一掏槽孔、第二掏槽孔和第一主爆孔均具有装药段和填塞段。

如上述的一种用于核岛环廊基坑负挖爆破结构的爆破方法，包括如下步骤：

S1:引爆第一预裂孔，形成内环槽；

S2:引爆第一掏槽孔，在相邻的两个所述爆破区间之间形成减振沟；

S3:依次引爆每个爆破区间的第一主爆孔形成沟槽，其中，在引爆第一爆破区间时，先引爆第二掏槽孔，再引爆其上的第一主爆孔，每个爆破区间的第一主爆孔从远离保护区向靠近保护区延伸引爆；

S4:引爆第二预裂孔，形成外环槽。

进一步的，将所述环廊基坑沿深度方向规划为第一厚度层和第二厚度层，所述第一预裂孔、第二预裂孔、第一掏槽孔、第二掏槽孔和第一主爆孔均设置在所述第一厚度层，所述环廊基坑的深度为H，第一厚度层为h，h大于1/2H。

进一步的，在步骤S3完成后，在所述第二厚度层设有主爆区和引爆区，所述主爆区内间隔设有多个第二主爆孔，引爆区围设在所述主爆区的四周，所述引爆区内设有多个第三掏槽孔，所述第三掏槽孔和第二主爆孔装药后引爆，然后再进行步骤S4，第二主爆孔采用径向不耦合装药。

进一步的，所述主爆区的起爆网路被设置成孔间延期起爆。